Global Power Technology-GPT G5S12016B

Numéro de pièce
G5S12016B
Fabricant
Global Power Technology-GPT
Catégorie :
Diodes - Redresseurs - Réseaux
Emballage
TO-247-3
Fiche technique
FudongICG5S12016B.pdf
Description
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 16A 3-P
Contrôle qualité :
★★★★★ 5.0/5 Vérifié par l’équipe QC de FudongIC

Les informations produit de G5S12016B ont été vérifiées selon la référence, le fabricant, le boîtier, le stock, les exigences d’approvisionnement et la disponibilité d’expédition.

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Applications

🔍Pour quelles applications G5S12016B est-il adapté ?

G5S12016B est un produit de Global Power Technology-GPT dans la catégorie Diodes - Redresseurs - Réseaux. Il convient aux projets électroniques nécessitant vérification des paramètres, approvisionnement stable, comparaison BOM et support d’achat.

Équipements de communication et réseau

Convient aux modules de communication, stations de base, équipements réseau et systèmes de transmission de données industriels.

Systèmes automobiles et de contrôle

Applicable à l’électronique automobile, modules de commande, capteurs et projets embarqués nécessitant une vérification des paramètres et du stock.

Automatisation industrielle

Adapté aux équipements industriels, contrôle moteur, instruments de mesure, systèmes d’automatisation et cartes électroniques.

Centres de données et plateformes cloud

Utilisable dans les serveurs, datacenters, alimentations, cartes de contrôle et systèmes électroniques fiables.

FudongIC aide les clients à acheter G5S12016B, avec confirmation du stock, prix, comparaison BOM et sélection technique.

Demander un devis et un support technique pour G5S12016B

Présentation du produit

G5S12016B est un produit de Global Power Technology-GPT dans la catégorie Diodes - Redresseurs - Réseaux. Description : SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 16A 3-P. FudongIC aide les clients avec la vérification des fiches techniques, la confirmation du stock, les devis, la comparaison BOM et la sélection technique.

Caractéristiques principales

  • Référence : G5S12016B
  • Fabricant : Global Power Technology-GPT
  • Catégorie : Diodes - Redresseurs - Réseaux
  • Boîtier : TO-247-3
  • Support pour fiche technique, stock et devis
  • Adapté aux échantillons, petites quantités et achats en volume

Domaines d’application

G5S12016B peut être utilisé dans les communications, l’automatisation industrielle, l’électronique automobile, les datacenters, les systèmes embarqués, l’énergie, le contrôle et d’autres projets électroniques.

Achat et support technique

Si vous avez besoin du stock, des prix par volume, du délai, d’alternatives ou de documents techniques pour G5S12016B, envoyez une demande à FudongIC. Notre équipe vous aidera selon votre application, paramètres, boîtier et quantité.

Produits associés

Product details

G5S12016B - Questions fréquentes

G5S12016B est-il actuellement en stock ?

G5S12016B est affiché sur FudongIC avec les informations de stock actuelles. Le stock affiché est 2171. Les stocks évoluant fréquemment, envoyez une RFQ pour confirmer le stock, le prix et la livraison en temps réel.

Quelle est la quantité minimale de commande pour G5S12016B ?

La quantité minimale de commande pour G5S12016B est de 1 pièce(s). FudongIC prend en charge les échantillons, petites quantités et achats en volume.

G5S12016B est-il original et authentique ?

FudongIC se concentre sur la fourniture de composants électroniques originaux et authentiques. G5S12016B de Global Power Technology-GPT est approvisionné via des canaux fiables.

Quel est le délai de livraison typique pour G5S12016B ?

Le délai de livraison dépend du stock, de la quantité et de la destination. Pour le stock disponible, l’expédition peut être organisée via DHL, FedEx, UPS ou d’autres services express.

Existe-t-il des alternatives ou équivalents pour G5S12016B ?

Selon les exigences de votre application, FudongIC peut vérifier des alternatives ou équivalents pour G5S12016B. Envoyez vos spécifications, quantité cible et détails d’application.

Image G3S06504B G3S06506B G3S06508B G3S06512B G3S12004B
Numéro de pièce G3S06504B G3S06506B G3S06508B G3S06512B G3S12004B
Fabricant Global Power Technology-GPT Global Power Technology-GPT Global Power Technology-GPT Global Power Technology-GPT Global Power Technology-GPT
Packaging Cut Tape (CT),Tape & Box (TB) Cut Tape (CT),Tape & Box (TB) Cut Tape (CT),Tape & Box (TB) Cut Tape (CT),Tape & Box (TB) Cut Tape (CT),Tape & Box (TB)
Series - - - - -
ProductStatus Active Active Active Active Active
DiodeConfiguration 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
DiodeType Silicon Carbide Schottky Silicon Carbide Schottky Silicon Carbide Schottky Silicon Carbide Schottky Silicon Carbide Schottky
Voltage-DCReverse(Vr)(Max) 1200 V 1200 V 1200 V 1200 V 1200 V
Current-AverageRectified(Io)(perDiode) 27.9A (DC) 27.9A (DC) 27.9A (DC) 27.9A (DC) 27.9A (DC)
Voltage-Forward(Vf)(Max)@If 1.7 V @ 8 A 1.7 V @ 8 A 1.7 V @ 8 A 1.7 V @ 8 A 1.7 V @ 8 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io)
ReverseRecoveryTime(trr) 0 ns 0 ns 0 ns 0 ns 0 ns
Current-ReverseLeakage@Vr 50 µA @ 1200 V 50 µA @ 1200 V 50 µA @ 1200 V 50 µA @ 1200 V 50 µA @ 1200 V
OperatingTemperature-Junction -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C -55°C ~ 175°C
MountingType Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

G5S12016B Informations pertinentes

Inclut les pièces suivantes "G5S12016B" ISSI, solutions de silicium intégrées de lentreprise G5S12016B.

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MBRD650CTTRL

MBRD650CTTRL

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

MBRD650CTTRR

MBRD650CTTRR

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

MBRD660CTTR

MBRD660CTTR

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

MBRD660CTTRL

MBRD660CTTRL

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

MBRD660CTTRR

MBRD660CTTRR

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

MURB1020CTTRL

MURB1020CTTRL

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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