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Toshiba Semiconductor and Storage HN1B01FU-Y(L,F,T)
- Numéro de pièce
- HN1B01FU-Y(L,F,T)
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Catégorie :
- Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux
- Emballage
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Fiche technique
-
HN1B01FU-Y(L,F,T).pdf
- Description
- TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
- Contrôle qualité :
-
★★★★★ 5.0/5 Vérifié par l’équipe QC de FudongIC
Les informations produit de HN1B01FU-Y(L,F,T) ont été vérifiées selon la référence, le fabricant, le boîtier, le stock, les exigences d’approvisionnement et la disponibilité d’expédition.
- Quantité
Prix unitaire$0
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- Paiement
- Expédition
Pour quelles applications HN1B01FU-Y(L,F,T) est-il adapté ?
HN1B01FU-Y(L,F,T) est un produit de Toshiba Semiconductor and Storage dans la catégorie Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux. Il convient aux projets électroniques nécessitant vérification des paramètres, approvisionnement stable, comparaison BOM et support d’achat.
Équipements de communication et réseau
Convient aux modules de communication, stations de base, équipements réseau et systèmes de transmission de données industriels.
Systèmes automobiles et de contrôle
Applicable à l’électronique automobile, modules de commande, capteurs et projets embarqués nécessitant une vérification des paramètres et du stock.
Automatisation industrielle
Adapté aux équipements industriels, contrôle moteur, instruments de mesure, systèmes d’automatisation et cartes électroniques.
Centres de données et plateformes cloud
Utilisable dans les serveurs, datacenters, alimentations, cartes de contrôle et systèmes électroniques fiables.
FudongIC aide les clients à acheter HN1B01FU-Y(L,F,T), avec confirmation du stock, prix, comparaison BOM et sélection technique.
Demander un devis et un support technique pour HN1B01FU-Y(L,F,T)Présentation du produit
HN1B01FU-Y(L,F,T) est un produit de Toshiba Semiconductor and Storage dans la catégorie Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux. Description : TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6. FudongIC aide les clients avec la vérification des fiches techniques, la confirmation du stock, les devis, la comparaison BOM et la sélection technique.
Caractéristiques principales
- Référence : HN1B01FU-Y(L,F,T)
- Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
- Catégorie : Transistors - Bipolaires (BJT) - Réseaux
- Boîtier : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Support pour fiche technique, stock et devis
- Adapté aux échantillons, petites quantités et achats en volume
Domaines d’application
HN1B01FU-Y(L,F,T) peut être utilisé dans les communications, l’automatisation industrielle, l’électronique automobile, les datacenters, les systèmes embarqués, l’énergie, le contrôle et d’autres projets électroniques.
Achat et support technique
Si vous avez besoin du stock, des prix par volume, du délai, d’alternatives ou de documents techniques pour HN1B01FU-Y(L,F,T), envoyez une demande à FudongIC. Notre équipe vous aidera selon votre application, paramètres, boîtier et quantité.
Produits associés
Product details
- Packaging:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
- Series:-
- ProductStatus:Active
- TransistorType:NPN, PNP
- Current-Collector(Ic)(Max):150mA
- Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max):50V
- VceSaturation(Max)@IbIc:300mV @ 10mA, 100mA
- Current-CollectorCutoff(Max):100nA (ICBO)
- DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce:120 @ 2mA, 6V
- Power-Max:200mW
- Frequency-Transition:120MHz
- OperatingTemperature:125°C (TJ)
- MountingType:Surface Mount
- Catégorie :
- Fiche technique
HN1B01FU-Y(L,F,T) - Questions fréquentes
HN1B01FU-Y(L,F,T) est affiché sur FudongIC avec les informations de stock actuelles. Le stock affiché est 3136. Les stocks évoluant fréquemment, envoyez une RFQ pour confirmer le stock, le prix et la livraison en temps réel.
La quantité minimale de commande pour HN1B01FU-Y(L,F,T) est de 1 pièce(s). FudongIC prend en charge les échantillons, petites quantités et achats en volume.
FudongIC se concentre sur la fourniture de composants électroniques originaux et authentiques. HN1B01FU-Y(L,F,T) de Toshiba Semiconductor and Storage est approvisionné via des canaux fiables.
Le délai de livraison dépend du stock, de la quantité et de la destination. Pour le stock disponible, l’expédition peut être organisée via DHL, FedEx, UPS ou d’autres services express.
Selon les exigences de votre application, FudongIC peut vérifier des alternatives ou équivalents pour HN1B01FU-Y(L,F,T). Envoyez vos spécifications, quantité cible et détails d’application.
| Image |  |
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| Numéro de pièce | HN1C01FU-Y,LF | HN4A51JTE85LF | HN1B04FU-Y,LF | HN1C03FU-B,LF | 2SA1873-GR(TE85L,F |
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Packaging | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | - | - | - | - | - |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| TransistorType | NPN, PNP | NPN, PNP | NPN, PNP | NPN, PNP | NPN, PNP |
| Current-Collector(Ic)(Max) | 150mA | 150mA | 150mA | 150mA | 150mA |
| Voltage-CollectorEmitterBreakdown(Max) | 50V | 50V | 50V | 50V | 50V |
| VceSaturation(Max)@IbIc | 300mV @ 10mA, 100mA | 300mV @ 10mA, 100mA | 300mV @ 10mA, 100mA | 300mV @ 10mA, 100mA | 300mV @ 10mA, 100mA |
| Current-CollectorCutoff(Max) | 100nA (ICBO) | 100nA (ICBO) | 100nA (ICBO) | 100nA (ICBO) | 100nA (ICBO) |
| DCCurrentGain(hFE)(Min)@IcVce | 120 @ 2mA, 6V | 120 @ 2mA, 6V | 120 @ 2mA, 6V | 120 @ 2mA, 6V | 120 @ 2mA, 6V |
| Power-Max | 200mW | 200mW | 200mW | 200mW | 200mW |
| Frequency-Transition | 120MHz | 120MHz | 120MHz | 120MHz | 120MHz |
| OperatingTemperature | 125°C (TJ) | 125°C (TJ) | 125°C (TJ) | 125°C (TJ) | 125°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
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HN1B01FU-Y(L,F,T) Informations pertinentes
Inclut les pièces suivantes "HN1B01FU-Y(L,F,T)" ISSI, solutions de silicium intégrées de lentreprise HN1B01FU-Y(L,F,T).
- Numéro de pièce
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- Emballage
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