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Infineon Technologies IPI076N12N3GAKSA1
- Numéro de pièce
- IPI076N12N3GAKSA1
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Catégorie :
- Transistors - FET, MOSFET - Simples
- Emballage
- PG-TO262-3
- Fiche technique
-
IPI076N12N3GAKSA1.pdf
- Description
- MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
- Contrôle qualité :
-
★★★★★ 5.0/5 Vérifié par l’équipe QC de FudongIC
Les informations produit de IPI076N12N3GAKSA1 ont été vérifiées selon la référence, le fabricant, le boîtier, le stock, les exigences d’approvisionnement et la disponibilité d’expédition.
- Quantité
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- Paiement
- Expédition
Pour quelles applications IPI076N12N3GAKSA1 est-il adapté ?
IPI076N12N3GAKSA1 est un produit de Infineon Technologies dans la catégorie Transistors - FET, MOSFET - Simples. Il convient aux projets électroniques nécessitant vérification des paramètres, approvisionnement stable, comparaison BOM et support d’achat.
Équipements de communication et réseau
Convient aux modules de communication, stations de base, équipements réseau et systèmes de transmission de données industriels.
Systèmes automobiles et de contrôle
Applicable à l’électronique automobile, modules de commande, capteurs et projets embarqués nécessitant une vérification des paramètres et du stock.
Automatisation industrielle
Adapté aux équipements industriels, contrôle moteur, instruments de mesure, systèmes d’automatisation et cartes électroniques.
Centres de données et plateformes cloud
Utilisable dans les serveurs, datacenters, alimentations, cartes de contrôle et systèmes électroniques fiables.
FudongIC aide les clients à acheter IPI076N12N3GAKSA1, avec confirmation du stock, prix, comparaison BOM et sélection technique.
Demander un devis et un support technique pour IPI076N12N3GAKSA1Présentation du produit
IPI076N12N3GAKSA1 est un produit de Infineon Technologies dans la catégorie Transistors - FET, MOSFET - Simples. Description : MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3. FudongIC aide les clients avec la vérification des fiches techniques, la confirmation du stock, les devis, la comparaison BOM et la sélection technique.
Caractéristiques principales
- Référence : IPI076N12N3GAKSA1
- Fabricant : Infineon Technologies
- Catégorie : Transistors - FET, MOSFET - Simples
- Boîtier : PG-TO262-3
- Support pour fiche technique, stock et devis
- Adapté aux échantillons, petites quantités et achats en volume
Domaines d’application
IPI076N12N3GAKSA1 peut être utilisé dans les communications, l’automatisation industrielle, l’électronique automobile, les datacenters, les systèmes embarqués, l’énergie, le contrôle et d’autres projets électroniques.
Achat et support technique
Si vous avez besoin du stock, des prix par volume, du délai, d’alternatives ou de documents techniques pour IPI076N12N3GAKSA1, envoyez une demande à FudongIC. Notre équipe vous aidera selon votre application, paramètres, boîtier et quantité.
Produits associés
Product details
- Packaging:Bulk,Tube
- Series:OptiMOS™
- ProductStatus:Active
- FETType:N-Channel
- Technology:MOSFET (Metal Oxide)
- DraintoSourceVoltage(Vdss):120 V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:100A (Tc)
- DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):10V
- RdsOn(Max)@IdVgs:7.6mOhm @ 100A, 10V
- Vgs(th)(Max)@Id:4V @ 130µA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:101 nC @ 10 V
- Vgs(Max):±20V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:6640 pF @ 60 V
- FETFeature:-
- PowerDissipation(Max):188W (Tc)
- OperatingTemperature:-55°C ~ 175°C (TJ)
- MountingType:Through Hole
- Catégorie :
- Fiche technique
IPI076N12N3GAKSA1 - Questions fréquentes
IPI076N12N3GAKSA1 est affiché sur FudongIC avec les informations de stock actuelles. Le stock affiché est 2738. Les stocks évoluant fréquemment, envoyez une RFQ pour confirmer le stock, le prix et la livraison en temps réel.
La quantité minimale de commande pour IPI076N12N3GAKSA1 est de 1 pièce(s). FudongIC prend en charge les échantillons, petites quantités et achats en volume.
FudongIC se concentre sur la fourniture de composants électroniques originaux et authentiques. IPI076N12N3GAKSA1 de Infineon Technologies est approvisionné via des canaux fiables.
Le délai de livraison dépend du stock, de la quantité et de la destination. Pour le stock disponible, l’expédition peut être organisée via DHL, FedEx, UPS ou d’autres services express.
Selon les exigences de votre application, FudongIC peut vérifier des alternatives ou équivalents pour IPI076N12N3GAKSA1. Envoyez vos spécifications, quantité cible et détails d’application.
| Image |  |
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| Numéro de pièce | IPP065N04NG | BSF083N03LQG | IPP230N06L3G | BSB053N03LPG | SPP80N06S209 |
| Fabricant | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Packaging | Bulk,Tube | Bulk,Tube | Bulk,Tube | Bulk,Tube | Bulk,Tube |
| Series | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ | OptiMOS™ |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 120 V | 120 V | 120 V | 120 V | 120 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 100A (Tc) | 100A (Tc) | 100A (Tc) | 100A (Tc) | 100A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V | 10V | 10V | 10V | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 7.6mOhm @ 100A, 10V | 7.6mOhm @ 100A, 10V | 7.6mOhm @ 100A, 10V | 7.6mOhm @ 100A, 10V | 7.6mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4V @ 130µA | 4V @ 130µA | 4V @ 130µA | 4V @ 130µA | 4V @ 130µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 101 nC @ 10 V | 101 nC @ 10 V | 101 nC @ 10 V | 101 nC @ 10 V | 101 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 6640 pF @ 60 V | 6640 pF @ 60 V | 6640 pF @ 60 V | 6640 pF @ 60 V | 6640 pF @ 60 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 188W (Tc) | 188W (Tc) | 188W (Tc) | 188W (Tc) | 188W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
- Thyristoren – DIACs, SIDACs(317)
- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
- Thyristoren – TRIACs(3481)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays(2078)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt(1969)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren(23278)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren, vorgespannt(4111)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays(5629)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – HF(2777)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren(42446)
IPI076N12N3GAKSA1 Informations pertinentes
Inclut les pièces suivantes "IPI076N12N3GAKSA1" ISSI, solutions de silicium intégrées de lentreprise IPI076N12N3GAKSA1.
- Numéro de pièce
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- Emballage
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