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IXYS IXFN36N110P
- Numéro de pièce
- IXFN36N110P
- Fabricant
- IXYS
- Catégorie :
- Transistors - FET, MOSFET - Simples
- Emballage
- SOT-227B
- Fiche technique
-
IXFN36N110P.pdf
- Description
- MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B
- Contrôle qualité :
-
★★★★★ 5.0/5 Vérifié par l’équipe QC de FudongIC
Les informations produit de IXFN36N110P ont été vérifiées selon la référence, le fabricant, le boîtier, le stock, les exigences d’approvisionnement et la disponibilité d’expédition.
- Quantité
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- Paiement
- Expédition
Pour quelles applications IXFN36N110P est-il adapté ?
IXFN36N110P est un produit de IXYS dans la catégorie Transistors - FET, MOSFET - Simples. Il convient aux projets électroniques nécessitant vérification des paramètres, approvisionnement stable, comparaison BOM et support d’achat.
Équipements de communication et réseau
Convient aux modules de communication, stations de base, équipements réseau et systèmes de transmission de données industriels.
Systèmes automobiles et de contrôle
Applicable à l’électronique automobile, modules de commande, capteurs et projets embarqués nécessitant une vérification des paramètres et du stock.
Automatisation industrielle
Adapté aux équipements industriels, contrôle moteur, instruments de mesure, systèmes d’automatisation et cartes électroniques.
Centres de données et plateformes cloud
Utilisable dans les serveurs, datacenters, alimentations, cartes de contrôle et systèmes électroniques fiables.
FudongIC aide les clients à acheter IXFN36N110P, avec confirmation du stock, prix, comparaison BOM et sélection technique.
Demander un devis et un support technique pour IXFN36N110PPrésentation du produit
IXFN36N110P est un produit de IXYS dans la catégorie Transistors - FET, MOSFET - Simples. Description : MOSFET N-CH 1100V 36A SOT-227B. FudongIC aide les clients avec la vérification des fiches techniques, la confirmation du stock, les devis, la comparaison BOM et la sélection technique.
Caractéristiques principales
- Référence : IXFN36N110P
- Fabricant : IXYS
- Catégorie : Transistors - FET, MOSFET - Simples
- Boîtier : SOT-227B
- Support pour fiche technique, stock et devis
- Adapté aux échantillons, petites quantités et achats en volume
Domaines d’application
IXFN36N110P peut être utilisé dans les communications, l’automatisation industrielle, l’électronique automobile, les datacenters, les systèmes embarqués, l’énergie, le contrôle et d’autres projets électroniques.
Achat et support technique
Si vous avez besoin du stock, des prix par volume, du délai, d’alternatives ou de documents techniques pour IXFN36N110P, envoyez une demande à FudongIC. Notre équipe vous aidera selon votre application, paramètres, boîtier et quantité.
Produits associés
Product details
- Packaging:Tube
- Series:HiPerFET™, Polar
- ProductStatus:Active
- FETType:N-Channel
- Technology:MOSFET (Metal Oxide)
- DraintoSourceVoltage(Vdss):1100 V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:36A (Tc)
- DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):10V
- RdsOn(Max)@IdVgs:240mOhm @ 500mA, 10V
- Vgs(th)(Max)@Id:6.5V @ 1mA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:350 nC @ 10 V
- Vgs(Max):±30V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:23000 pF @ 25 V
- FETFeature:-
- PowerDissipation(Max):1000W (Tc)
- OperatingTemperature:-55°C ~ 150°C (TJ)
- MountingType:Chassis Mount
- Catégorie :
- Fiche technique
IXFN36N110P - Questions fréquentes
IXFN36N110P est affiché sur FudongIC avec les informations de stock actuelles. Le stock affiché est 2675. Les stocks évoluant fréquemment, envoyez une RFQ pour confirmer le stock, le prix et la livraison en temps réel.
La quantité minimale de commande pour IXFN36N110P est de 1 pièce(s). FudongIC prend en charge les échantillons, petites quantités et achats en volume.
FudongIC se concentre sur la fourniture de composants électroniques originaux et authentiques. IXFN36N110P de IXYS est approvisionné via des canaux fiables.
Le délai de livraison dépend du stock, de la quantité et de la destination. Pour le stock disponible, l’expédition peut être organisée via DHL, FedEx, UPS ou d’autres services express.
Selon les exigences de votre application, FudongIC peut vérifier des alternatives ou équivalents pour IXFN36N110P. Envoyez vos spécifications, quantité cible et détails d’application.
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| Numéro de pièce | IXFR64N50P | IXFX20N120P | IXFL100N50P | IXFA14N60P | IXFH74N20P |
| Fabricant | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| Packaging | Tube | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Series | HiPerFET™, Polar | HiPerFET™, Polar | HiPerFET™, Polar | HiPerFET™, Polar | HiPerFET™, Polar |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 1100 V | 1100 V | 1100 V | 1100 V | 1100 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 36A (Tc) | 36A (Tc) | 36A (Tc) | 36A (Tc) | 36A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V | 10V | 10V | 10V | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 240mOhm @ 500mA, 10V | 240mOhm @ 500mA, 10V | 240mOhm @ 500mA, 10V | 240mOhm @ 500mA, 10V | 240mOhm @ 500mA, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 6.5V @ 1mA | 6.5V @ 1mA | 6.5V @ 1mA | 6.5V @ 1mA | 6.5V @ 1mA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 350 nC @ 10 V | 350 nC @ 10 V | 350 nC @ 10 V | 350 nC @ 10 V | 350 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 23000 pF @ 25 V | 23000 pF @ 25 V | 23000 pF @ 25 V | 23000 pF @ 25 V | 23000 pF @ 25 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 1000W (Tc) | 1000W (Tc) | 1000W (Tc) | 1000W (Tc) | 1000W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
- Thyristoren – DIACs, SIDACs(317)
- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
- Thyristoren – TRIACs(3481)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays(2078)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt(1969)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren(23278)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren, vorgespannt(4111)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays(5629)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – HF(2777)
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- Numéro de pièce
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- 1500+ Moyenne quotidienne des demandes de devis (RFQ)
- 20,000.000 Unité standard du produit
- 1800+ Fabricants du monde entier
- 15,000+ Stock disponible
