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Les informations produit de NRVBM110ET1G ont été vérifiées selon la référence, le fabricant, le boîtier, le stock, les exigences d’approvisionnement et la disponibilité d’expédition.
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NRVBM110ET1G est un produit de onsemi dans la catégorie Diodes - Redresseurs - Simples. Il convient aux projets électroniques nécessitant vérification des paramètres, approvisionnement stable, comparaison BOM et support d’achat.
Convient aux modules de communication, stations de base, équipements réseau et systèmes de transmission de données industriels.
Applicable à l’électronique automobile, modules de commande, capteurs et projets embarqués nécessitant une vérification des paramètres et du stock.
Adapté aux équipements industriels, contrôle moteur, instruments de mesure, systèmes d’automatisation et cartes électroniques.
Utilisable dans les serveurs, datacenters, alimentations, cartes de contrôle et systèmes électroniques fiables.
FudongIC aide les clients à acheter NRVBM110ET1G, avec confirmation du stock, prix, comparaison BOM et sélection technique.
Demander un devis et un support technique pour NRVBM110ET1GNRVBM110ET1G est un produit de onsemi dans la catégorie Diodes - Redresseurs - Simples. Description : DIODE SCHOTTKY 10V 1A POWERMITE. FudongIC aide les clients avec la vérification des fiches techniques, la confirmation du stock, les devis, la comparaison BOM et la sélection technique.
NRVBM110ET1G peut être utilisé dans les communications, l’automatisation industrielle, l’électronique automobile, les datacenters, les systèmes embarqués, l’énergie, le contrôle et d’autres projets électroniques.
Si vous avez besoin du stock, des prix par volume, du délai, d’alternatives ou de documents techniques pour NRVBM110ET1G, envoyez une demande à FudongIC. Notre équipe vous aidera selon votre application, paramètres, boîtier et quantité.
NRVBM110ET1G est affiché sur FudongIC avec les informations de stock actuelles. Le stock affiché est 310. Les stocks évoluant fréquemment, envoyez une RFQ pour confirmer le stock, le prix et la livraison en temps réel.
La quantité minimale de commande pour NRVBM110ET1G est de 1 pièce(s). FudongIC prend en charge les échantillons, petites quantités et achats en volume.
FudongIC se concentre sur la fourniture de composants électroniques originaux et authentiques. NRVBM110ET1G de onsemi est approvisionné via des canaux fiables.
Le délai de livraison dépend du stock, de la quantité et de la destination. Pour le stock disponible, l’expédition peut être organisée via DHL, FedEx, UPS ou d’autres services express.
Selon les exigences de votre application, FudongIC peut vérifier des alternatives ou équivalents pour NRVBM110ET1G. Envoyez vos spécifications, quantité cible et détails d’application.
| Image | ![]() |
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| Numéro de pièce | NRVBM120ET1G | NRVBM110LT3G | NRVBM120ET3G | NRVBM140T3G | MBRM120ET1H |
| Fabricant | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi | onsemi |
| Packaging | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | POWERMITE® | POWERMITE® | POWERMITE® | POWERMITE® | POWERMITE® |
| RoHS | RoHS | RoHS | RoHS | RoHS | RoHS |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Diode Type | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| Part Status | Active | Active | Active | Active | Active |
| Mounting Type | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| Capacitance @ Vr, F | - | - | - | - | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - | - | - | - | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 10 V | 1 µA @ 10 V | 1 µA @ 10 V | 1 µA @ 10 V | 1 µA @ 10 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 10 V | 10 V | 10 V | 10 V | 10 V |
| Current - Average Rectified (Io) | 1A | 1A | 1A | 1A | 1A |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 595 mV @ 2 A | 595 mV @ 2 A | 595 mV @ 2 A | 595 mV @ 2 A | 595 mV @ 2 A |
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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