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NXP USA Inc. PSMN008-75P,127
- Numéro de pièce
- PSMN008-75P,127
- Fabricant
- NXP USA Inc.
- Catégorie :
- Transistors - FET, MOSFET - Simples
- Emballage
- TO-220AB
- Fiche technique
-
PSMN008-75P,127.pdf
- Description
- MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB
- Contrôle qualité :
-
★★★★★ 5.0/5 Vérifié par l’équipe QC de FudongIC
Les informations produit de PSMN008-75P,127 ont été vérifiées selon la référence, le fabricant, le boîtier, le stock, les exigences d’approvisionnement et la disponibilité d’expédition.
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- Expédition
Pour quelles applications PSMN008-75P,127 est-il adapté ?
PSMN008-75P,127 est un produit de NXP USA Inc. dans la catégorie Transistors - FET, MOSFET - Simples. Il convient aux projets électroniques nécessitant vérification des paramètres, approvisionnement stable, comparaison BOM et support d’achat.
Équipements de communication et réseau
Convient aux modules de communication, stations de base, équipements réseau et systèmes de transmission de données industriels.
Systèmes automobiles et de contrôle
Applicable à l’électronique automobile, modules de commande, capteurs et projets embarqués nécessitant une vérification des paramètres et du stock.
Automatisation industrielle
Adapté aux équipements industriels, contrôle moteur, instruments de mesure, systèmes d’automatisation et cartes électroniques.
Centres de données et plateformes cloud
Utilisable dans les serveurs, datacenters, alimentations, cartes de contrôle et systèmes électroniques fiables.
FudongIC aide les clients à acheter PSMN008-75P,127, avec confirmation du stock, prix, comparaison BOM et sélection technique.
Demander un devis et un support technique pour PSMN008-75P,127Présentation du produit
PSMN008-75P,127 est un produit de NXP USA Inc. dans la catégorie Transistors - FET, MOSFET - Simples. Description : MOSFET N-CH 75V 75A TO220AB. FudongIC aide les clients avec la vérification des fiches techniques, la confirmation du stock, les devis, la comparaison BOM et la sélection technique.
Caractéristiques principales
- Référence : PSMN008-75P,127
- Fabricant : NXP USA Inc.
- Catégorie : Transistors - FET, MOSFET - Simples
- Boîtier : TO-220AB
- Support pour fiche technique, stock et devis
- Adapté aux échantillons, petites quantités et achats en volume
Domaines d’application
PSMN008-75P,127 peut être utilisé dans les communications, l’automatisation industrielle, l’électronique automobile, les datacenters, les systèmes embarqués, l’énergie, le contrôle et d’autres projets électroniques.
Achat et support technique
Si vous avez besoin du stock, des prix par volume, du délai, d’alternatives ou de documents techniques pour PSMN008-75P,127, envoyez une demande à FudongIC. Notre équipe vous aidera selon votre application, paramètres, boîtier et quantité.
Produits associés
Product details
- Packaging:Tube
- Series:TrenchMOS™
- ProductStatus:Obsolete
- FETType:N-Channel
- Technology:MOSFET (Metal Oxide)
- DraintoSourceVoltage(Vdss):75 V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:75A (Tc)
- DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):10V
- RdsOn(Max)@IdVgs:8.5mOhm @ 25A, 10V
- Vgs(th)(Max)@Id:4V @ 1mA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:122.8 nC @ 10 V
- Vgs(Max):±20V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:5260 pF @ 25 V
- FETFeature:-
- PowerDissipation(Max):230W (Tc)
- OperatingTemperature:-55°C ~ 175°C (TJ)
- MountingType:Through Hole
- Catégorie :
- Fiche technique
PSMN008-75P,127 - Questions fréquentes
PSMN008-75P,127 est affiché sur FudongIC avec les informations de stock actuelles. Le stock affiché est 3971. Les stocks évoluant fréquemment, envoyez une RFQ pour confirmer le stock, le prix et la livraison en temps réel.
La quantité minimale de commande pour PSMN008-75P,127 est de 1 pièce(s). FudongIC prend en charge les échantillons, petites quantités et achats en volume.
FudongIC se concentre sur la fourniture de composants électroniques originaux et authentiques. PSMN008-75P,127 de NXP USA Inc. est approvisionné via des canaux fiables.
Le délai de livraison dépend du stock, de la quantité et de la destination. Pour le stock disponible, l’expédition peut être organisée via DHL, FedEx, UPS ou d’autres services express.
Selon les exigences de votre application, FudongIC peut vérifier des alternatives ou équivalents pour PSMN008-75P,127. Envoyez vos spécifications, quantité cible et détails d’application.
| Image |  |
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| Numéro de pièce | BUK7535-55A,127 | BUK7528-55A,127 | BUK7507-30B,127 | BUK7516-55A,127 | BUK9514-55A,127 |
| Fabricant | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. | NXP USA Inc. |
| Packaging | Tube | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Series | TrenchMOS™ | TrenchMOS™ | TrenchMOS™ | TrenchMOS™ | TrenchMOS™ |
| ProductStatus | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Obsolete |
| FETType | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 75 V | 75 V | 75 V | 75 V | 75 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 75A (Tc) | 75A (Tc) | 75A (Tc) | 75A (Tc) | 75A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V | 10V | 10V | 10V | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 8.5mOhm @ 25A, 10V | 8.5mOhm @ 25A, 10V | 8.5mOhm @ 25A, 10V | 8.5mOhm @ 25A, 10V | 8.5mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 122.8 nC @ 10 V | 122.8 nC @ 10 V | 122.8 nC @ 10 V | 122.8 nC @ 10 V | 122.8 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 5260 pF @ 25 V | 5260 pF @ 25 V | 5260 pF @ 25 V | 5260 pF @ 25 V | 5260 pF @ 25 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 230W (Tc) | 230W (Tc) | 230W (Tc) | 230W (Tc) | 230W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
- Thyristoren – DIACs, SIDACs(317)
- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
- Thyristoren – TRIACs(3481)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays(2078)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt(1969)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren(23278)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren, vorgespannt(4111)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays(5629)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – HF(2777)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren(42446)
PSMN008-75P,127 Informations pertinentes
Inclut les pièces suivantes "PSMN008-75P,127" ISSI, solutions de silicium intégrées de lentreprise PSMN008-75P,127.
- Numéro de pièce
- Fabricant
- Emballage
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