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Rohm Semiconductor R6011ENXC7G
- Numéro de pièce
- R6011ENXC7G
- Fabricant
- Rohm Semiconductor
- Catégorie :
- Transistors - FET, MOSFET - Simples
- Emballage
- TO-220FM
- Fiche technique
-
R6011ENXC7G.pdf
- Description
- 600V 11A TO-220FM, LOW-NOISE POW
- Contrôle qualité :
-
★★★★★ 5.0/5 Vérifié par l’équipe QC de FudongIC
Les informations produit de R6011ENXC7G ont été vérifiées selon la référence, le fabricant, le boîtier, le stock, les exigences d’approvisionnement et la disponibilité d’expédition.
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- Paiement
- Expédition
Pour quelles applications R6011ENXC7G est-il adapté ?
R6011ENXC7G est un produit de Rohm Semiconductor dans la catégorie Transistors - FET, MOSFET - Simples. Il convient aux projets électroniques nécessitant vérification des paramètres, approvisionnement stable, comparaison BOM et support d’achat.
Équipements de communication et réseau
Convient aux modules de communication, stations de base, équipements réseau et systèmes de transmission de données industriels.
Systèmes automobiles et de contrôle
Applicable à l’électronique automobile, modules de commande, capteurs et projets embarqués nécessitant une vérification des paramètres et du stock.
Automatisation industrielle
Adapté aux équipements industriels, contrôle moteur, instruments de mesure, systèmes d’automatisation et cartes électroniques.
Centres de données et plateformes cloud
Utilisable dans les serveurs, datacenters, alimentations, cartes de contrôle et systèmes électroniques fiables.
FudongIC aide les clients à acheter R6011ENXC7G, avec confirmation du stock, prix, comparaison BOM et sélection technique.
Demander un devis et un support technique pour R6011ENXC7GPrésentation du produit
R6011ENXC7G est un produit de Rohm Semiconductor dans la catégorie Transistors - FET, MOSFET - Simples. Description : 600V 11A TO-220FM, LOW-NOISE POW. FudongIC aide les clients avec la vérification des fiches techniques, la confirmation du stock, les devis, la comparaison BOM et la sélection technique.
Caractéristiques principales
- Référence : R6011ENXC7G
- Fabricant : Rohm Semiconductor
- Catégorie : Transistors - FET, MOSFET - Simples
- Boîtier : TO-220FM
- Support pour fiche technique, stock et devis
- Adapté aux échantillons, petites quantités et achats en volume
Domaines d’application
R6011ENXC7G peut être utilisé dans les communications, l’automatisation industrielle, l’électronique automobile, les datacenters, les systèmes embarqués, l’énergie, le contrôle et d’autres projets électroniques.
Achat et support technique
Si vous avez besoin du stock, des prix par volume, du délai, d’alternatives ou de documents techniques pour R6011ENXC7G, envoyez une demande à FudongIC. Notre équipe vous aidera selon votre application, paramètres, boîtier et quantité.
Produits associés
Product details
- Packaging:Tube
- Series:-
- ProductStatus:Active
- FETType:N-Channel
- Technology:MOSFET (Metal Oxide)
- DraintoSourceVoltage(Vdss):600 V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:11A (Ta)
- DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):10V
- RdsOn(Max)@IdVgs:390mOhm @ 3.8A, 10V
- Vgs(th)(Max)@Id:4V @ 1mA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:32 nC @ 10 V
- Vgs(Max):±20V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:670 pF @ 25 V
- FETFeature:-
- PowerDissipation(Max):53W (Tc)
- OperatingTemperature:150°C (TJ)
- MountingType:Through Hole
- Catégorie :
- Fiche technique
R6011ENXC7G - Questions fréquentes
R6011ENXC7G est affiché sur FudongIC avec les informations de stock actuelles. Le stock affiché est 1000. Les stocks évoluant fréquemment, envoyez une RFQ pour confirmer le stock, le prix et la livraison en temps réel.
La quantité minimale de commande pour R6011ENXC7G est de 1 pièce(s). FudongIC prend en charge les échantillons, petites quantités et achats en volume.
FudongIC se concentre sur la fourniture de composants électroniques originaux et authentiques. R6011ENXC7G de Rohm Semiconductor est approvisionné via des canaux fiables.
Le délai de livraison dépend du stock, de la quantité et de la destination. Pour le stock disponible, l’expédition peut être organisée via DHL, FedEx, UPS ou d’autres services express.
Selon les exigences de votre application, FudongIC peut vérifier des alternatives ou équivalents pour R6011ENXC7G. Envoyez vos spécifications, quantité cible et détails d’application.
| Image |  |
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| Numéro de pièce | R8002ANJGTL | R8002KNXC7G | RCJ331N25TL | RCJ451N20TL | RX3G07CGNC16 |
| Fabricant | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor | Rohm Semiconductor |
| Packaging | Tube | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Series | - | - | - | - | - |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 11A (Ta) | 11A (Ta) | 11A (Ta) | 11A (Ta) | 11A (Ta) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V | 10V | 10V | 10V | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 390mOhm @ 3.8A, 10V | 390mOhm @ 3.8A, 10V | 390mOhm @ 3.8A, 10V | 390mOhm @ 3.8A, 10V | 390mOhm @ 3.8A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA | 4V @ 1mA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 32 nC @ 10 V | 32 nC @ 10 V | 32 nC @ 10 V | 32 nC @ 10 V | 32 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 670 pF @ 25 V | 670 pF @ 25 V | 670 pF @ 25 V | 670 pF @ 25 V | 670 pF @ 25 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 53W (Tc) | 53W (Tc) | 53W (Tc) | 53W (Tc) | 53W (Tc) |
| OperatingTemperature | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
- Thyristoren – DIACs, SIDACs(317)
- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
- Thyristoren – TRIACs(3481)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays(2078)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt(1969)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren(23278)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren, vorgespannt(4111)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays(5629)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – HF(2777)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren(42446)
R6011ENXC7G Informations pertinentes
Inclut les pièces suivantes "R6011ENXC7G" ISSI, solutions de silicium intégrées de lentreprise R6011ENXC7G.
- Numéro de pièce
- Fabricant
- Emballage
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- 20,000.000 Unité standard du produit
- 1800+ Fabricants du monde entier
- 15,000+ Stock disponible
