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Harris Corporation RF1S50N06LESM
- Numéro de pièce
- RF1S50N06LESM
- Fabricant
- Harris Corporation
- Catégorie :
- Transistors - FET, MOSFET - Simples
- Emballage
- TO-263AB
- Fiche technique
-
RF1S50N06LESM.pdf
- Description
- N-CHANNEL POWER MOSFET
- Contrôle qualité :
-
★★★★★ 5.0/5 Vérifié par l’équipe QC de FudongIC
Les informations produit de RF1S50N06LESM ont été vérifiées selon la référence, le fabricant, le boîtier, le stock, les exigences d’approvisionnement et la disponibilité d’expédition.
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- Paiement
- Expédition
Pour quelles applications RF1S50N06LESM est-il adapté ?
RF1S50N06LESM est un produit de Harris Corporation dans la catégorie Transistors - FET, MOSFET - Simples. Il convient aux projets électroniques nécessitant vérification des paramètres, approvisionnement stable, comparaison BOM et support d’achat.
Équipements de communication et réseau
Convient aux modules de communication, stations de base, équipements réseau et systèmes de transmission de données industriels.
Systèmes automobiles et de contrôle
Applicable à l’électronique automobile, modules de commande, capteurs et projets embarqués nécessitant une vérification des paramètres et du stock.
Automatisation industrielle
Adapté aux équipements industriels, contrôle moteur, instruments de mesure, systèmes d’automatisation et cartes électroniques.
Centres de données et plateformes cloud
Utilisable dans les serveurs, datacenters, alimentations, cartes de contrôle et systèmes électroniques fiables.
FudongIC aide les clients à acheter RF1S50N06LESM, avec confirmation du stock, prix, comparaison BOM et sélection technique.
Demander un devis et un support technique pour RF1S50N06LESMPrésentation du produit
RF1S50N06LESM est un produit de Harris Corporation dans la catégorie Transistors - FET, MOSFET - Simples. Description : N-CHANNEL POWER MOSFET. FudongIC aide les clients avec la vérification des fiches techniques, la confirmation du stock, les devis, la comparaison BOM et la sélection technique.
Caractéristiques principales
- Référence : RF1S50N06LESM
- Fabricant : Harris Corporation
- Catégorie : Transistors - FET, MOSFET - Simples
- Boîtier : TO-263AB
- Support pour fiche technique, stock et devis
- Adapté aux échantillons, petites quantités et achats en volume
Domaines d’application
RF1S50N06LESM peut être utilisé dans les communications, l’automatisation industrielle, l’électronique automobile, les datacenters, les systèmes embarqués, l’énergie, le contrôle et d’autres projets électroniques.
Achat et support technique
Si vous avez besoin du stock, des prix par volume, du délai, d’alternatives ou de documents techniques pour RF1S50N06LESM, envoyez une demande à FudongIC. Notre équipe vous aidera selon votre application, paramètres, boîtier et quantité.
Produits associés
Product details
- Packaging:Bulk
- Series:-
- ProductStatus:Active
- FETType:N-Channel
- Technology:MOSFET (Metal Oxide)
- DraintoSourceVoltage(Vdss):60 V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:50A (Tc)
- DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):5V
- RdsOn(Max)@IdVgs:22mOhm @ 50A, 5V
- Vgs(th)(Max)@Id:2V @ 250µA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:120 nC @ 10 V
- Vgs(Max):±10V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:2100 pF @ 25 V
- FETFeature:-
- PowerDissipation(Max):142W (Tc)
- OperatingTemperature:-55°C ~ 175°C (TJ)
- MountingType:Surface Mount
- Catégorie :
- Fiche technique
RF1S50N06LESM - Questions fréquentes
RF1S50N06LESM est affiché sur FudongIC avec les informations de stock actuelles. Le stock affiché est 1705. Les stocks évoluant fréquemment, envoyez une RFQ pour confirmer le stock, le prix et la livraison en temps réel.
La quantité minimale de commande pour RF1S50N06LESM est de 1 pièce(s). FudongIC prend en charge les échantillons, petites quantités et achats en volume.
FudongIC se concentre sur la fourniture de composants électroniques originaux et authentiques. RF1S50N06LESM de Harris Corporation est approvisionné via des canaux fiables.
Le délai de livraison dépend du stock, de la quantité et de la destination. Pour le stock disponible, l’expédition peut être organisée via DHL, FedEx, UPS ou d’autres services express.
Selon les exigences de votre application, FudongIC peut vérifier des alternatives ou équivalents pour RF1S50N06LESM. Envoyez vos spécifications, quantité cible et détails d’application.
| Image |  |
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| Numéro de pièce | RFP2P08 | RFP2N08 | RFP2N10 | RFD4N06L | RFP8P06LE |
| Fabricant | Harris Corporation | Harris Corporation | Harris Corporation | Harris Corporation | Harris Corporation |
| Packaging | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| Series | - | - | - | - | - |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 50A (Tc) | 50A (Tc) | 50A (Tc) | 50A (Tc) | 50A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 5V | 5V | 5V | 5V | 5V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 22mOhm @ 50A, 5V | 22mOhm @ 50A, 5V | 22mOhm @ 50A, 5V | 22mOhm @ 50A, 5V | 22mOhm @ 50A, 5V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA | 2V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 120 nC @ 10 V | 120 nC @ 10 V | 120 nC @ 10 V | 120 nC @ 10 V | 120 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±10V | ±10V | ±10V | ±10V | ±10V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 2100 pF @ 25 V | 2100 pF @ 25 V | 2100 pF @ 25 V | 2100 pF @ 25 V | 2100 pF @ 25 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 142W (Tc) | 142W (Tc) | 142W (Tc) | 142W (Tc) | 142W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
- Thyristoren – DIACs, SIDACs(317)
- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
- Thyristoren – TRIACs(3481)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays(2078)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt(1969)
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- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren(23278)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren, vorgespannt(4111)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays(5629)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – HF(2777)
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RF1S50N06LESM Informations pertinentes
Inclut les pièces suivantes "RF1S50N06LESM" ISSI, solutions de silicium intégrées de lentreprise RF1S50N06LESM.
- Numéro de pièce
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