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Vishay Siliconix SI7164DP-T1-GE3
- Numéro de pièce
- SI7164DP-T1-GE3
- Fabricant
- Vishay Siliconix
- Catégorie :
- Transistors - FET, MOSFET - Simples
- Emballage
- PowerPAK® SO-8
- Fiche technique
-
SI7164DP-T1-GE3.pdf
- Description
- MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
- Contrôle qualité :
-
★★★★★ 5.0/5 Vérifié par l’équipe QC de FudongIC
Les informations produit de SI7164DP-T1-GE3 ont été vérifiées selon la référence, le fabricant, le boîtier, le stock, les exigences d’approvisionnement et la disponibilité d’expédition.
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- Paiement
- Expédition
Pour quelles applications SI7164DP-T1-GE3 est-il adapté ?
SI7164DP-T1-GE3 est un produit de Vishay Siliconix dans la catégorie Transistors - FET, MOSFET - Simples. Il convient aux projets électroniques nécessitant vérification des paramètres, approvisionnement stable, comparaison BOM et support d’achat.
Équipements de communication et réseau
Convient aux modules de communication, stations de base, équipements réseau et systèmes de transmission de données industriels.
Systèmes automobiles et de contrôle
Applicable à l’électronique automobile, modules de commande, capteurs et projets embarqués nécessitant une vérification des paramètres et du stock.
Automatisation industrielle
Adapté aux équipements industriels, contrôle moteur, instruments de mesure, systèmes d’automatisation et cartes électroniques.
Centres de données et plateformes cloud
Utilisable dans les serveurs, datacenters, alimentations, cartes de contrôle et systèmes électroniques fiables.
FudongIC aide les clients à acheter SI7164DP-T1-GE3, avec confirmation du stock, prix, comparaison BOM et sélection technique.
Demander un devis et un support technique pour SI7164DP-T1-GE3Présentation du produit
SI7164DP-T1-GE3 est un produit de Vishay Siliconix dans la catégorie Transistors - FET, MOSFET - Simples. Description : MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8. FudongIC aide les clients avec la vérification des fiches techniques, la confirmation du stock, les devis, la comparaison BOM et la sélection technique.
Caractéristiques principales
- Référence : SI7164DP-T1-GE3
- Fabricant : Vishay Siliconix
- Catégorie : Transistors - FET, MOSFET - Simples
- Boîtier : PowerPAK® SO-8
- Support pour fiche technique, stock et devis
- Adapté aux échantillons, petites quantités et achats en volume
Domaines d’application
SI7164DP-T1-GE3 peut être utilisé dans les communications, l’automatisation industrielle, l’électronique automobile, les datacenters, les systèmes embarqués, l’énergie, le contrôle et d’autres projets électroniques.
Achat et support technique
Si vous avez besoin du stock, des prix par volume, du délai, d’alternatives ou de documents techniques pour SI7164DP-T1-GE3, envoyez une demande à FudongIC. Notre équipe vous aidera selon votre application, paramètres, boîtier et quantité.
Produits associés
Product details
- Packaging:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
- Series:TrenchFET®
- ProductStatus:Active
- FETType:N-Channel
- Technology:MOSFET (Metal Oxide)
- DraintoSourceVoltage(Vdss):60 V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:60A (Tc)
- DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):10V
- RdsOn(Max)@IdVgs:6.25mOhm @ 10A, 10V
- Vgs(th)(Max)@Id:4.5V @ 250µA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:75 nC @ 10 V
- Vgs(Max):±20V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:2830 pF @ 30 V
- FETFeature:-
- PowerDissipation(Max):6.25W (Ta), 104W (Tc)
- OperatingTemperature:-55°C ~ 150°C (TJ)
- MountingType:Surface Mount
- Catégorie :
- Fiche technique
SI7164DP-T1-GE3 - Questions fréquentes
SI7164DP-T1-GE3 est affiché sur FudongIC avec les informations de stock actuelles. Le stock affiché est 3259. Les stocks évoluant fréquemment, envoyez une RFQ pour confirmer le stock, le prix et la livraison en temps réel.
La quantité minimale de commande pour SI7164DP-T1-GE3 est de 1 pièce(s). FudongIC prend en charge les échantillons, petites quantités et achats en volume.
FudongIC se concentre sur la fourniture de composants électroniques originaux et authentiques. SI7164DP-T1-GE3 de Vishay Siliconix est approvisionné via des canaux fiables.
Le délai de livraison dépend du stock, de la quantité et de la destination. Pour le stock disponible, l’expédition peut être organisée via DHL, FedEx, UPS ou d’autres services express.
Selon les exigences de votre application, FudongIC peut vérifier des alternatives ou équivalents pour SI7164DP-T1-GE3. Envoyez vos spécifications, quantité cible et détails d’application.
| Image |  |
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| Numéro de pièce | SI8447DB-T2-E1 | SI8465DB-T2-E1 | SI8824EDB-T2-E1 | SI2303CDS-T1-BE3 | SI1032X-T1-GE3 |
| Fabricant | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| Packaging | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V | 60 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 60A (Tc) | 60A (Tc) | 60A (Tc) | 60A (Tc) | 60A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V | 10V | 10V | 10V | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 6.25mOhm @ 10A, 10V | 6.25mOhm @ 10A, 10V | 6.25mOhm @ 10A, 10V | 6.25mOhm @ 10A, 10V | 6.25mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4.5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 75 nC @ 10 V | 75 nC @ 10 V | 75 nC @ 10 V | 75 nC @ 10 V | 75 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 2830 pF @ 30 V | 2830 pF @ 30 V | 2830 pF @ 30 V | 2830 pF @ 30 V | 2830 pF @ 30 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
- Thyristoren – DIACs, SIDACs(317)
- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
- Thyristoren – TRIACs(3481)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays(2078)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt(1969)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren(23278)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren, vorgespannt(4111)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays(5629)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – HF(2777)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren(42446)
SI7164DP-T1-GE3 Informations pertinentes
Inclut les pièces suivantes "SI7164DP-T1-GE3" ISSI, solutions de silicium intégrées de lentreprise SI7164DP-T1-GE3.
- Numéro de pièce
- Fabricant
- Emballage
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- 20,000.000 Unité standard du produit
- 1800+ Fabricants du monde entier
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