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Vishay Siliconix SI7900AEDN-T1-E3
- Numéro de pièce
- SI7900AEDN-T1-E3
- Fabricant
- Vishay Siliconix
- Catégorie :
- Transistors - FET, MOSFET - Réseaux
- Emballage
- PowerPAK® 1212-8 Dual
- Fiche technique
-
SI7900AEDN-T1-E3.pdf
- Description
- MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8
- Contrôle qualité :
-
★★★★★ 5.0/5 Vérifié par l’équipe QC de FudongIC
Les informations produit de SI7900AEDN-T1-E3 ont été vérifiées selon la référence, le fabricant, le boîtier, le stock, les exigences d’approvisionnement et la disponibilité d’expédition.
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- Paiement
- Expédition
Pour quelles applications SI7900AEDN-T1-E3 est-il adapté ?
SI7900AEDN-T1-E3 est un produit de Vishay Siliconix dans la catégorie Transistors - FET, MOSFET - Réseaux. Il convient aux projets électroniques nécessitant vérification des paramètres, approvisionnement stable, comparaison BOM et support d’achat.
Équipements de communication et réseau
Convient aux modules de communication, stations de base, équipements réseau et systèmes de transmission de données industriels.
Systèmes automobiles et de contrôle
Applicable à l’électronique automobile, modules de commande, capteurs et projets embarqués nécessitant une vérification des paramètres et du stock.
Automatisation industrielle
Adapté aux équipements industriels, contrôle moteur, instruments de mesure, systèmes d’automatisation et cartes électroniques.
Centres de données et plateformes cloud
Utilisable dans les serveurs, datacenters, alimentations, cartes de contrôle et systèmes électroniques fiables.
FudongIC aide les clients à acheter SI7900AEDN-T1-E3, avec confirmation du stock, prix, comparaison BOM et sélection technique.
Demander un devis et un support technique pour SI7900AEDN-T1-E3Présentation du produit
SI7900AEDN-T1-E3 est un produit de Vishay Siliconix dans la catégorie Transistors - FET, MOSFET - Réseaux. Description : MOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8. FudongIC aide les clients avec la vérification des fiches techniques, la confirmation du stock, les devis, la comparaison BOM et la sélection technique.
Caractéristiques principales
- Référence : SI7900AEDN-T1-E3
- Fabricant : Vishay Siliconix
- Catégorie : Transistors - FET, MOSFET - Réseaux
- Boîtier : PowerPAK® 1212-8 Dual
- Support pour fiche technique, stock et devis
- Adapté aux échantillons, petites quantités et achats en volume
Domaines d’application
SI7900AEDN-T1-E3 peut être utilisé dans les communications, l’automatisation industrielle, l’électronique automobile, les datacenters, les systèmes embarqués, l’énergie, le contrôle et d’autres projets électroniques.
Achat et support technique
Si vous avez besoin du stock, des prix par volume, du délai, d’alternatives ou de documents techniques pour SI7900AEDN-T1-E3, envoyez une demande à FudongIC. Notre équipe vous aidera selon votre application, paramètres, boîtier et quantité.
Produits associés
Product details
- Packaging:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
- Series:TrenchFET®
- ProductStatus:Active
- FETType:2 N-Channel (Dual) Common Drain
- FETFeature:Logic Level Gate
- DraintoSourceVoltage(Vdss):20V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:6A
- RdsOn(Max)@IdVgs:26mOhm @ 8.5A, 4.5V
- Vgs(th)(Max)@Id:900mV @ 250µA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:16nC @ 4.5V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:-
- Power-Max:1.5W
- OperatingTemperature:-55°C ~ 150°C (TJ)
- MountingType:Surface Mount
- Catégorie :
- Fiche technique
SI7900AEDN-T1-E3 - Questions fréquentes
SI7900AEDN-T1-E3 est affiché sur FudongIC avec les informations de stock actuelles. Le stock affiché est 3921. Les stocks évoluant fréquemment, envoyez une RFQ pour confirmer le stock, le prix et la livraison en temps réel.
La quantité minimale de commande pour SI7900AEDN-T1-E3 est de 1 pièce(s). FudongIC prend en charge les échantillons, petites quantités et achats en volume.
FudongIC se concentre sur la fourniture de composants électroniques originaux et authentiques. SI7900AEDN-T1-E3 de Vishay Siliconix est approvisionné via des canaux fiables.
Le délai de livraison dépend du stock, de la quantité et de la destination. Pour le stock disponible, l’expédition peut être organisée via DHL, FedEx, UPS ou d’autres services express.
Selon les exigences de votre application, FudongIC peut vérifier des alternatives ou équivalents pour SI7900AEDN-T1-E3. Envoyez vos spécifications, quantité cible et détails d’application.
| Image |  |
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| Numéro de pièce | SI3900DV-T1-E3 | SI4936ADY-T1-E3 | SI1024X-T1-GE3 | SIZ988DT-T1-GE3 | SI6954ADQ-T1-E3 |
| Fabricant | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| Packaging | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® | TrenchFET® |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FETFeature | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 20V | 20V | 20V | 20V | 20V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 6A | 6A | 6A | 6A | 6A |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 26mOhm @ 8.5A, 4.5V | 26mOhm @ 8.5A, 4.5V | 26mOhm @ 8.5A, 4.5V | 26mOhm @ 8.5A, 4.5V | 26mOhm @ 8.5A, 4.5V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 900mV @ 250µA | 900mV @ 250µA | 900mV @ 250µA | 900mV @ 250µA | 900mV @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 16nC @ 4.5V | 16nC @ 4.5V | 16nC @ 4.5V | 16nC @ 4.5V | 16nC @ 4.5V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | - | - | - | - | - |
| Power-Max | 1.5W | 1.5W | 1.5W | 1.5W | 1.5W |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
- Thyristoren – DIACs, SIDACs(317)
- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
- Thyristoren – TRIACs(3481)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays(2078)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt(1969)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren(23278)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren, vorgespannt(4111)
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- Transistoren – FETs, MOSFETs – HF(2777)
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SI7900AEDN-T1-E3 Informations pertinentes
Inclut les pièces suivantes "SI7900AEDN-T1-E3" ISSI, solutions de silicium intégrées de lentreprise SI7900AEDN-T1-E3.
- Numéro de pièce
- Fabricant
- Emballage
- Description
-
2N7002DW-TP
Micro Commercial Co
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
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DMC2700UDM-7
Diodes Incorporated
SOT-23-6
MOSFET N/P-CH 20V SOT26
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BSC0924NDIATMA1
Infineon Technologies
8-PowerTDFN
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
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IRF7324TRPBF
Infineon Technologies
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC
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BSM300D12P2E001
Rohm Semiconductor
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SSM6N37FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
- 1500+ Moyenne quotidienne des demandes de devis (RFQ)
- 20,000.000 Unité standard du produit
- 1800+ Fabricants du monde entier
- 15,000+ Stock disponible
