+86 075582561136
Télécharger le BOM
Toshiba Semiconductor and Storage TK31E60W,S1VX
- Numéro de pièce
- TK31E60W,S1VX
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Catégorie :
- Transistors - FET, MOSFET - Simples
- Emballage
- TO-220
- Fiche technique
-
TK31E60W,S1VX.pdf
- Description
- MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
- Contrôle qualité :
-
★★★★★ 5.0/5 Vérifié par l’équipe QC de FudongIC
Les informations produit de TK31E60W,S1VX ont été vérifiées selon la référence, le fabricant, le boîtier, le stock, les exigences d’approvisionnement et la disponibilité d’expédition.
- Quantité
Prix unitaire$0
Prix total$0
- Paiement
- Expédition
Pour quelles applications TK31E60W,S1VX est-il adapté ?
TK31E60W,S1VX est un produit de Toshiba Semiconductor and Storage dans la catégorie Transistors - FET, MOSFET - Simples. Il convient aux projets électroniques nécessitant vérification des paramètres, approvisionnement stable, comparaison BOM et support d’achat.
Équipements de communication et réseau
Convient aux modules de communication, stations de base, équipements réseau et systèmes de transmission de données industriels.
Systèmes automobiles et de contrôle
Applicable à l’électronique automobile, modules de commande, capteurs et projets embarqués nécessitant une vérification des paramètres et du stock.
Automatisation industrielle
Adapté aux équipements industriels, contrôle moteur, instruments de mesure, systèmes d’automatisation et cartes électroniques.
Centres de données et plateformes cloud
Utilisable dans les serveurs, datacenters, alimentations, cartes de contrôle et systèmes électroniques fiables.
FudongIC aide les clients à acheter TK31E60W,S1VX, avec confirmation du stock, prix, comparaison BOM et sélection technique.
Demander un devis et un support technique pour TK31E60W,S1VXPrésentation du produit
TK31E60W,S1VX est un produit de Toshiba Semiconductor and Storage dans la catégorie Transistors - FET, MOSFET - Simples. Description : MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220. FudongIC aide les clients avec la vérification des fiches techniques, la confirmation du stock, les devis, la comparaison BOM et la sélection technique.
Caractéristiques principales
- Référence : TK31E60W,S1VX
- Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
- Catégorie : Transistors - FET, MOSFET - Simples
- Boîtier : TO-220
- Support pour fiche technique, stock et devis
- Adapté aux échantillons, petites quantités et achats en volume
Domaines d’application
TK31E60W,S1VX peut être utilisé dans les communications, l’automatisation industrielle, l’électronique automobile, les datacenters, les systèmes embarqués, l’énergie, le contrôle et d’autres projets électroniques.
Achat et support technique
Si vous avez besoin du stock, des prix par volume, du délai, d’alternatives ou de documents techniques pour TK31E60W,S1VX, envoyez une demande à FudongIC. Notre équipe vous aidera selon votre application, paramètres, boîtier et quantité.
Produits associés
Product details
- Packaging:Tube
- Series:DTMOSIV
- ProductStatus:Active
- FETType:N-Channel
- Technology:MOSFET (Metal Oxide)
- DraintoSourceVoltage(Vdss):600 V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:30.8A (Ta)
- DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):10V
- RdsOn(Max)@IdVgs:88mOhm @ 15.4A, 10V
- Vgs(th)(Max)@Id:3.7V @ 1.5mA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:86 nC @ 10 V
- Vgs(Max):±30V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:3000 pF @ 300 V
- FETFeature:Super Junction
- PowerDissipation(Max):230W (Tc)
- OperatingTemperature:150°C (TJ)
- MountingType:Through Hole
- Catégorie :
- Fiche technique
TK31E60W,S1VX - Questions fréquentes
TK31E60W,S1VX est affiché sur FudongIC avec les informations de stock actuelles. Le stock affiché est 2221. Les stocks évoluant fréquemment, envoyez une RFQ pour confirmer le stock, le prix et la livraison en temps réel.
La quantité minimale de commande pour TK31E60W,S1VX est de 1 pièce(s). FudongIC prend en charge les échantillons, petites quantités et achats en volume.
FudongIC se concentre sur la fourniture de composants électroniques originaux et authentiques. TK31E60W,S1VX de Toshiba Semiconductor and Storage est approvisionné via des canaux fiables.
Le délai de livraison dépend du stock, de la quantité et de la destination. Pour le stock disponible, l’expédition peut être organisée via DHL, FedEx, UPS ou d’autres services express.
Selon les exigences de votre application, FudongIC peut vérifier des alternatives ou équivalents pour TK31E60W,S1VX. Envoyez vos spécifications, quantité cible et détails d’application.
| Image |  |
 |
 |
|
|
| Numéro de pièce | TK28A65W,S5X | TK7P65W,RQ | TK14G65W,RQ | TK7A60W5,S5VX | TK7P60W5,RVQ |
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Packaging | Tube | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Series | DTMOSIV | DTMOSIV | DTMOSIV | DTMOSIV | DTMOSIV |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 30.8A (Ta) | 30.8A (Ta) | 30.8A (Ta) | 30.8A (Ta) | 30.8A (Ta) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V | 10V | 10V | 10V | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 88mOhm @ 15.4A, 10V | 88mOhm @ 15.4A, 10V | 88mOhm @ 15.4A, 10V | 88mOhm @ 15.4A, 10V | 88mOhm @ 15.4A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 3.7V @ 1.5mA | 3.7V @ 1.5mA | 3.7V @ 1.5mA | 3.7V @ 1.5mA | 3.7V @ 1.5mA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 86 nC @ 10 V | 86 nC @ 10 V | 86 nC @ 10 V | 86 nC @ 10 V | 86 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 3000 pF @ 300 V | 3000 pF @ 300 V | 3000 pF @ 300 V | 3000 pF @ 300 V | 3000 pF @ 300 V |
| FETFeature | Super Junction | Super Junction | Super Junction | Super Junction | Super Junction |
| PowerDissipation(Max) | 230W (Tc) | 230W (Tc) | 230W (Tc) | 230W (Tc) | 230W (Tc) |
| OperatingTemperature | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
- Thyristoren – DIACs, SIDACs(317)
- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
- Thyristoren – TRIACs(3481)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays(2078)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt(1969)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren(23278)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren, vorgespannt(4111)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays(5629)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – HF(2777)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren(42446)
TK31E60W,S1VX Informations pertinentes
Inclut les pièces suivantes "TK31E60W,S1VX" ISSI, solutions de silicium intégrées de lentreprise TK31E60W,S1VX.
- Numéro de pièce
- Fabricant
- Emballage
- Description
Les pièces suivantes sont des pièces populaires recherchées dans : Transistors - FET, MOSFET - Simples.
Veuillez envoyer une RFQ.
Veuillez envoyer une RFQ. Nous répondrons immédiatement.
-
STF18N65M2
STMicroelectronics
-
TK65A10N1,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
-
SIHP17N80AE-GE3
Vishay Siliconix
-
FCPF9N60NT
onsemi
-
SIHP18N50C-E3
Vishay Siliconix
-
STP24N60M6
STMicroelectronics
- 1500+ Moyenne quotidienne des demandes de devis (RFQ)
- 20,000.000 Unité standard du produit
- 1800+ Fabricants du monde entier
- 15,000+ Stock disponible
