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Toshiba Semiconductor and Storage TK9J90E,S1E

Name: TK9J90E,S1E
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK9J90E,S1E
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

FudongIC

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Numéro de pièce: TK9J90E,S1E

Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage

Catégorie :: Transistors - FET, MOSFET - Simples

Emballage: TO-3P(N)

Fiche technique: TK9J90E,S1E.pdf

Description: MOSFET N-CH 900V 9A TO3P

Contrôle qualité :: ★★★★★ 5.0/5 Vérifié par l’équipe QC de FudongIC

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🔍Pour quelles applications TK9J90E,S1E est-il adapté ?

TK9J90E,S1E est un produit de Toshiba Semiconductor and Storage dans la catégorie Transistors - FET, MOSFET - Simples. Il convient aux projets électroniques nécessitant vérification des paramètres, approvisionnement stable, comparaison BOM et support d’achat.

Équipements de communication et réseau

Convient aux modules de communication, stations de base, équipements réseau et systèmes de transmission de données industriels.

Systèmes automobiles et de contrôle

Applicable à l’électronique automobile, modules de commande, capteurs et projets embarqués nécessitant une vérification des paramètres et du stock.

Automatisation industrielle

Adapté aux équipements industriels, contrôle moteur, instruments de mesure, systèmes d’automatisation et cartes électroniques.

Centres de données et plateformes cloud

Utilisable dans les serveurs, datacenters, alimentations, cartes de contrôle et systèmes électroniques fiables.

FudongIC aide les clients à acheter TK9J90E,S1E, avec confirmation du stock, prix, comparaison BOM et sélection technique.

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Présentation du produit

TK9J90E,S1E est un produit de Toshiba Semiconductor and Storage dans la catégorie Transistors - FET, MOSFET - Simples. Description : MOSFET N-CH 900V 9A TO3P. FudongIC aide les clients avec la vérification des fiches techniques, la confirmation du stock, les devis, la comparaison BOM et la sélection technique.

Caractéristiques principales

Référence : TK9J90E,S1E
Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
Catégorie : Transistors - FET, MOSFET - Simples
Boîtier : TO-3P(N)
Support pour fiche technique, stock et devis
Adapté aux échantillons, petites quantités et achats en volume

Domaines d’application

TK9J90E,S1E peut être utilisé dans les communications, l’automatisation industrielle, l’électronique automobile, les datacenters, les systèmes embarqués, l’énergie, le contrôle et d’autres projets électroniques.

Achat et support technique

Si vous avez besoin du stock, des prix par volume, du délai, d’alternatives ou de documents techniques pour TK9J90E,S1E, envoyez une demande à FudongIC. Notre équipe vous aidera selon votre application, paramètres, boîtier et quantité.

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Product details

Packaging:
Tube
Series:
-
ProductStatus:
Active
FETType:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss):
900 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
9A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):
10V
RdsOn(Max)@IdVgs:
1.3Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id:
4V @ 900µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
46 nC @ 10 V
Vgs(Max):
±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
2000 pF @ 25 V
FETFeature:
-
PowerDissipation(Max):
250W (Tc)
OperatingTemperature:
150°C (TJ)
MountingType:
Through Hole
Catégorie :
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Fiche technique
TK9J90E,S1E.pdf

TK9J90E,S1E - Questions fréquentes

TK9J90E,S1E est-il actuellement en stock ?▼

TK9J90E,S1E est affiché sur FudongIC avec les informations de stock actuelles. Le stock affiché est 6548. Les stocks évoluant fréquemment, envoyez une RFQ pour confirmer le stock, le prix et la livraison en temps réel.

Quelle est la quantité minimale de commande pour TK9J90E,S1E ?▼

La quantité minimale de commande pour TK9J90E,S1E est de 1 pièce(s). FudongIC prend en charge les échantillons, petites quantités et achats en volume.

TK9J90E,S1E est-il original et authentique ?▼

FudongIC se concentre sur la fourniture de composants électroniques originaux et authentiques. TK9J90E,S1E de Toshiba Semiconductor and Storage est approvisionné via des canaux fiables.

Quel est le délai de livraison typique pour TK9J90E,S1E ?▼

Le délai de livraison dépend du stock, de la quantité et de la destination. Pour le stock disponible, l’expédition peut être organisée via DHL, FedEx, UPS ou d’autres services express.

Existe-t-il des alternatives ou équivalents pour TK9J90E,S1E ?▼

Selon les exigences de votre application, FudongIC peut vérifier des alternatives ou équivalents pour TK9J90E,S1E. Envoyez vos spécifications, quantité cible et détails d’application.

Image
Numéro de pièce	TK31Z60X,S1F	TK62Z60X,S1F	TK190E65Z,S1X	TW048N65C,S1F	SSM3J15FS,LF
Fabricant	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
Packaging	Tube	Tube	Tube	Tube	Tube
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ProductStatus	Active	Active	Active	Active	Active
FETType	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)	900 V	900 V	900 V	900 V	900 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	9A (Ta)	9A (Ta)	9A (Ta)	9A (Ta)	9A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)	10V	10V	10V	10V	10V
RdsOn(Max)@IdVgs	1.3Ohm @ 4.5A, 10V	1.3Ohm @ 4.5A, 10V	1.3Ohm @ 4.5A, 10V	1.3Ohm @ 4.5A, 10V	1.3Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id	4V @ 900µA	4V @ 900µA	4V @ 900µA	4V @ 900µA	4V @ 900µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	46 nC @ 10 V	46 nC @ 10 V	46 nC @ 10 V	46 nC @ 10 V	46 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±30V	±30V	±30V	±30V	±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	2000 pF @ 25 V	2000 pF @ 25 V	2000 pF @ 25 V	2000 pF @ 25 V	2000 pF @ 25 V
FETFeature	-	-	-	-	-
PowerDissipation(Max)	250W (Tc)	250W (Tc)	250W (Tc)	250W (Tc)	250W (Tc)
OperatingTemperature	150°C (TJ)	150°C (TJ)	150°C (TJ)	150°C (TJ)	150°C (TJ)
MountingType	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole	Through Hole