Solid State Inc. 2N6660

Numéro de pièce
2N6660
Fabricant
Solid State Inc.
Catégorie :
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Emballage
TO-39
Fiche technique
FudongIC2N6660.pdf
Description
MOSFET N-CH 60V 1.1A TO39
Contrôle qualité :
★★★★★ 5.0/5 Vérifié par l’équipe QC de FudongIC

Les informations produit de 2N6660 ont été vérifiées selon la référence, le fabricant, le boîtier, le stock, les exigences d’approvisionnement et la disponibilité d’expédition.

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Expédition
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Applications

🔍Pour quelles applications 2N6660 est-il adapté ?

2N6660 est un produit de Solid State Inc. dans la catégorie Transistors - FET, MOSFET - Simples. Il convient aux projets électroniques nécessitant vérification des paramètres, approvisionnement stable, comparaison BOM et support d’achat.

Équipements de communication et réseau

Convient aux modules de communication, stations de base, équipements réseau et systèmes de transmission de données industriels.

Systèmes automobiles et de contrôle

Applicable à l’électronique automobile, modules de commande, capteurs et projets embarqués nécessitant une vérification des paramètres et du stock.

Automatisation industrielle

Adapté aux équipements industriels, contrôle moteur, instruments de mesure, systèmes d’automatisation et cartes électroniques.

Centres de données et plateformes cloud

Utilisable dans les serveurs, datacenters, alimentations, cartes de contrôle et systèmes électroniques fiables.

FudongIC aide les clients à acheter 2N6660, avec confirmation du stock, prix, comparaison BOM et sélection technique.

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Présentation du produit

2N6660 est un produit de Solid State Inc. dans la catégorie Transistors - FET, MOSFET - Simples. Description : MOSFET N-CH 60V 1.1A TO39. FudongIC aide les clients avec la vérification des fiches techniques, la confirmation du stock, les devis, la comparaison BOM et la sélection technique.

Caractéristiques principales

  • Référence : 2N6660
  • Fabricant : Solid State Inc.
  • Catégorie : Transistors - FET, MOSFET - Simples
  • Boîtier : TO-39
  • Support pour fiche technique, stock et devis
  • Adapté aux échantillons, petites quantités et achats en volume

Domaines d’application

2N6660 peut être utilisé dans les communications, l’automatisation industrielle, l’électronique automobile, les datacenters, les systèmes embarqués, l’énergie, le contrôle et d’autres projets électroniques.

Achat et support technique

Si vous avez besoin du stock, des prix par volume, du délai, d’alternatives ou de documents techniques pour 2N6660, envoyez une demande à FudongIC. Notre équipe vous aidera selon votre application, paramètres, boîtier et quantité.

Produits associés

Product details

2N6660 - Questions fréquentes

2N6660 est-il actuellement en stock ?

2N6660 est affiché sur FudongIC avec les informations de stock actuelles. Le stock affiché est 770. Les stocks évoluant fréquemment, envoyez une RFQ pour confirmer le stock, le prix et la livraison en temps réel.

Quelle est la quantité minimale de commande pour 2N6660 ?

La quantité minimale de commande pour 2N6660 est de 1 pièce(s). FudongIC prend en charge les échantillons, petites quantités et achats en volume.

2N6660 est-il original et authentique ?

FudongIC se concentre sur la fourniture de composants électroniques originaux et authentiques. 2N6660 de Solid State Inc. est approvisionné via des canaux fiables.

Quel est le délai de livraison typique pour 2N6660 ?

Le délai de livraison dépend du stock, de la quantité et de la destination. Pour le stock disponible, l’expédition peut être organisée via DHL, FedEx, UPS ou d’autres services express.

Existe-t-il des alternatives ou équivalents pour 2N6660 ?

Selon les exigences de votre application, FudongIC peut vérifier des alternatives ou équivalents pour 2N6660. Envoyez vos spécifications, quantité cible et détails d’application.

Image 2N6661 2N6660 BUZ50A
Numéro de pièce 2N6661 2N6660 BUZ50A
Fabricant Solid State Inc. Solid State Inc. Solid State Inc.
Packaging Box Box Box
Series - - -
ProductStatus Active Active Active
FETType N-Channel N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 60 V 60 V 60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 1.1A (Tc) 1.1A (Tc) 1.1A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 5V, 10V 5V, 10V 5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 3Ohm @ 1A, 10V 3Ohm @ 1A, 10V 3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2V @ 1mA 2V @ 1mA 2V @ 1mA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs - - -
Vgs(Max) ±40V ±40V ±40V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 50 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V 50 pF @ 25 V
FETFeature - - -
PowerDissipation(Max) 6.25W (Tc) 6.25W (Tc) 6.25W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole Through Hole

2N6660 Informations pertinentes

Inclut les pièces suivantes "2N6660" ISSI, solutions de silicium intégrées de lentreprise 2N6660.

  • Numéro de pièce
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