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Microsemi Corporation APT10M11B2VFRG
- Numéro de pièce
- APT10M11B2VFRG
- Fabricant
- Microsemi Corporation
- Catégorie :
- Transistors - FET, MOSFET - Simples
- Emballage
- T-MAX™
- Fiche technique
-
APT10M11B2VFRG.pdf
- Description
- MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX
- Contrôle qualité :
-
★★★★★ 5.0/5 Vérifié par l’équipe QC de FudongIC
Les informations produit de APT10M11B2VFRG ont été vérifiées selon la référence, le fabricant, le boîtier, le stock, les exigences d’approvisionnement et la disponibilité d’expédition.
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- Paiement
- Expédition
Pour quelles applications APT10M11B2VFRG est-il adapté ?
APT10M11B2VFRG est un produit de Microsemi Corporation dans la catégorie Transistors - FET, MOSFET - Simples. Il convient aux projets électroniques nécessitant vérification des paramètres, approvisionnement stable, comparaison BOM et support d’achat.
Équipements de communication et réseau
Convient aux modules de communication, stations de base, équipements réseau et systèmes de transmission de données industriels.
Systèmes automobiles et de contrôle
Applicable à l’électronique automobile, modules de commande, capteurs et projets embarqués nécessitant une vérification des paramètres et du stock.
Automatisation industrielle
Adapté aux équipements industriels, contrôle moteur, instruments de mesure, systèmes d’automatisation et cartes électroniques.
Centres de données et plateformes cloud
Utilisable dans les serveurs, datacenters, alimentations, cartes de contrôle et systèmes électroniques fiables.
FudongIC aide les clients à acheter APT10M11B2VFRG, avec confirmation du stock, prix, comparaison BOM et sélection technique.
Demander un devis et un support technique pour APT10M11B2VFRGPrésentation du produit
APT10M11B2VFRG est un produit de Microsemi Corporation dans la catégorie Transistors - FET, MOSFET - Simples. Description : MOSFET N-CH 100V 100A T-MAX. FudongIC aide les clients avec la vérification des fiches techniques, la confirmation du stock, les devis, la comparaison BOM et la sélection technique.
Caractéristiques principales
- Référence : APT10M11B2VFRG
- Fabricant : Microsemi Corporation
- Catégorie : Transistors - FET, MOSFET - Simples
- Boîtier : T-MAX™
- Support pour fiche technique, stock et devis
- Adapté aux échantillons, petites quantités et achats en volume
Domaines d’application
APT10M11B2VFRG peut être utilisé dans les communications, l’automatisation industrielle, l’électronique automobile, les datacenters, les systèmes embarqués, l’énergie, le contrôle et d’autres projets électroniques.
Achat et support technique
Si vous avez besoin du stock, des prix par volume, du délai, d’alternatives ou de documents techniques pour APT10M11B2VFRG, envoyez une demande à FudongIC. Notre équipe vous aidera selon votre application, paramètres, boîtier et quantité.
Produits associés
Product details
- Packaging:Tube
- Series:POWER MOS V®
- ProductStatus:Obsolete
- FETType:N-Channel
- Technology:MOSFET (Metal Oxide)
- DraintoSourceVoltage(Vdss):100 V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:100A (Tc)
- DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):10V
- RdsOn(Max)@IdVgs:11mOhm @ 500mA, 10V
- Vgs(th)(Max)@Id:4V @ 2.5mA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:450 nC @ 10 V
- Vgs(Max):±30V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:10300 pF @ 25 V
- FETFeature:-
- PowerDissipation(Max):520W (Tc)
- OperatingTemperature:-55°C ~ 150°C (TJ)
- MountingType:Through Hole
- Catégorie :
- Fiche technique
APT10M11B2VFRG - Questions fréquentes
APT10M11B2VFRG est affiché sur FudongIC avec les informations de stock actuelles. Le stock affiché est 3703. Les stocks évoluant fréquemment, envoyez une RFQ pour confirmer le stock, le prix et la livraison en temps réel.
La quantité minimale de commande pour APT10M11B2VFRG est de 1 pièce(s). FudongIC prend en charge les échantillons, petites quantités et achats en volume.
FudongIC se concentre sur la fourniture de composants électroniques originaux et authentiques. APT10M11B2VFRG de Microsemi Corporation est approvisionné via des canaux fiables.
Le délai de livraison dépend du stock, de la quantité et de la destination. Pour le stock disponible, l’expédition peut être organisée via DHL, FedEx, UPS ou d’autres services express.
Selon les exigences de votre application, FudongIC peut vérifier des alternatives ou équivalents pour APT10M11B2VFRG. Envoyez vos spécifications, quantité cible et détails d’application.
| Image |  |
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| Numéro de pièce | APT30M70SVRG | APT30M85BVFRG | APT10M09B2VFRG | APT10M11B2VFRG | APT14050JVFR |
| Fabricant | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation | Microsemi Corporation |
| Packaging | Tube | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Series | POWER MOS V® | POWER MOS V® | POWER MOS V® | POWER MOS V® | POWER MOS V® |
| ProductStatus | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Obsolete |
| FETType | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V | 100 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 100A (Tc) | 100A (Tc) | 100A (Tc) | 100A (Tc) | 100A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 10V | 10V | 10V | 10V | 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 11mOhm @ 500mA, 10V | 11mOhm @ 500mA, 10V | 11mOhm @ 500mA, 10V | 11mOhm @ 500mA, 10V | 11mOhm @ 500mA, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4V @ 2.5mA | 4V @ 2.5mA | 4V @ 2.5mA | 4V @ 2.5mA | 4V @ 2.5mA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 450 nC @ 10 V | 450 nC @ 10 V | 450 nC @ 10 V | 450 nC @ 10 V | 450 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 10300 pF @ 25 V | 10300 pF @ 25 V | 10300 pF @ 25 V | 10300 pF @ 25 V | 10300 pF @ 25 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 520W (Tc) | 520W (Tc) | 520W (Tc) | 520W (Tc) | 520W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
- Thyristoren – DIACs, SIDACs(317)
- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
- Thyristoren – TRIACs(3481)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays(2078)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt(1969)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren(23278)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren, vorgespannt(4111)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays(5629)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – HF(2777)
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APT10M11B2VFRG Informations pertinentes
Inclut les pièces suivantes "APT10M11B2VFRG" ISSI, solutions de silicium intégrées de lentreprise APT10M11B2VFRG.
- Numéro de pièce
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- Emballage
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- 1500+ Moyenne quotidienne des demandes de devis (RFQ)
- 20,000.000 Unité standard du produit
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