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Infineon Technologies BSC112N06LDATMA1
- Numéro de pièce
- BSC112N06LDATMA1
- Fabricant
- Infineon Technologies
- Catégorie :
- Transistors - FET, MOSFET - Réseaux
- Emballage
- 8-PowerVDFN
- Fiche technique
-
BSC112N06LDATMA1.pdf
- Description
- TRENCH 40<-<100V
- Contrôle qualité :
-
★★★★★ 5.0/5 Vérifié par l’équipe QC de FudongIC
Les informations produit de BSC112N06LDATMA1 ont été vérifiées selon la référence, le fabricant, le boîtier, le stock, les exigences d’approvisionnement et la disponibilité d’expédition.
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- Expédition
Pour quelles applications BSC112N06LDATMA1 est-il adapté ?
BSC112N06LDATMA1 est un produit de Infineon Technologies dans la catégorie Transistors - FET, MOSFET - Réseaux. Il convient aux projets électroniques nécessitant vérification des paramètres, approvisionnement stable, comparaison BOM et support d’achat.
Équipements de communication et réseau
Convient aux modules de communication, stations de base, équipements réseau et systèmes de transmission de données industriels.
Systèmes automobiles et de contrôle
Applicable à l’électronique automobile, modules de commande, capteurs et projets embarqués nécessitant une vérification des paramètres et du stock.
Automatisation industrielle
Adapté aux équipements industriels, contrôle moteur, instruments de mesure, systèmes d’automatisation et cartes électroniques.
Centres de données et plateformes cloud
Utilisable dans les serveurs, datacenters, alimentations, cartes de contrôle et systèmes électroniques fiables.
FudongIC aide les clients à acheter BSC112N06LDATMA1, avec confirmation du stock, prix, comparaison BOM et sélection technique.
Demander un devis et un support technique pour BSC112N06LDATMA1Présentation du produit
BSC112N06LDATMA1 est un produit de Infineon Technologies dans la catégorie Transistors - FET, MOSFET - Réseaux. Description : TRENCH 40<-<100V. FudongIC aide les clients avec la vérification des fiches techniques, la confirmation du stock, les devis, la comparaison BOM et la sélection technique.
Caractéristiques principales
- Référence : BSC112N06LDATMA1
- Fabricant : Infineon Technologies
- Catégorie : Transistors - FET, MOSFET - Réseaux
- Boîtier : 8-PowerVDFN
- Support pour fiche technique, stock et devis
- Adapté aux échantillons, petites quantités et achats en volume
Domaines d’application
BSC112N06LDATMA1 peut être utilisé dans les communications, l’automatisation industrielle, l’électronique automobile, les datacenters, les systèmes embarqués, l’énergie, le contrôle et d’autres projets électroniques.
Achat et support technique
Si vous avez besoin du stock, des prix par volume, du délai, d’alternatives ou de documents techniques pour BSC112N06LDATMA1, envoyez une demande à FudongIC. Notre équipe vous aidera selon votre application, paramètres, boîtier et quantité.
Produits associés
Product details
- Packaging:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
- Series:OptiMOS™-T2
- ProductStatus:Active
- FETType:2 N-Channel (Dual)
- FETFeature:Logic Level Gate
- DraintoSourceVoltage(Vdss):60V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:20A (Tc)
- RdsOn(Max)@IdVgs:11.2mOhm @ 17A, 10V
- Vgs(th)(Max)@Id:2.2V @ 28µA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:55nC @ 10V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:4020pF @ 30V
- Power-Max:65W (Tc)
- OperatingTemperature:-55°C ~ 175°C (TJ)
- MountingType:Surface Mount
- Catégorie :
- Fiche technique
BSC112N06LDATMA1 - Questions fréquentes
BSC112N06LDATMA1 est affiché sur FudongIC avec les informations de stock actuelles. Le stock affiché est 2406. Les stocks évoluant fréquemment, envoyez une RFQ pour confirmer le stock, le prix et la livraison en temps réel.
La quantité minimale de commande pour BSC112N06LDATMA1 est de 1 pièce(s). FudongIC prend en charge les échantillons, petites quantités et achats en volume.
FudongIC se concentre sur la fourniture de composants électroniques originaux et authentiques. BSC112N06LDATMA1 de Infineon Technologies est approvisionné via des canaux fiables.
Le délai de livraison dépend du stock, de la quantité et de la destination. Pour le stock disponible, l’expédition peut être organisée via DHL, FedEx, UPS ou d’autres services express.
Selon les exigences de votre application, FudongIC peut vérifier des alternatives ou équivalents pour BSC112N06LDATMA1. Envoyez vos spécifications, quantité cible et détails d’application.
| Image |  |
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| Numéro de pièce | BSC112N06LDATMA1 | BSC155N06NDATMA1 | BSC072N04LDATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
| Fabricant | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Packaging | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | OptiMOS™-T2 | OptiMOS™-T2 | OptiMOS™-T2 | OptiMOS™-T2 |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active |
| FETType | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| FETFeature | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 60V | 60V | 60V | 60V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 20A (Tc) | 20A (Tc) | 20A (Tc) | 20A (Tc) |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 11.2mOhm @ 17A, 10V | 11.2mOhm @ 17A, 10V | 11.2mOhm @ 17A, 10V | 11.2mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2.2V @ 28µA | 2.2V @ 28µA | 2.2V @ 28µA | 2.2V @ 28µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 55nC @ 10V | 55nC @ 10V | 55nC @ 10V | 55nC @ 10V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 4020pF @ 30V | 4020pF @ 30V | 4020pF @ 30V | 4020pF @ 30V |
| Power-Max | 65W (Tc) | 65W (Tc) | 65W (Tc) | 65W (Tc) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
- Thyristoren – DIACs, SIDACs(317)
- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
- Thyristoren – TRIACs(3481)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays(2078)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt(1969)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren(23278)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren, vorgespannt(4111)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays(5629)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – HF(2777)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren(42446)
BSC112N06LDATMA1 Informations pertinentes
Inclut les pièces suivantes "BSC112N06LDATMA1" ISSI, solutions de silicium intégrées de lentreprise BSC112N06LDATMA1.
- Numéro de pièce
- Fabricant
- Emballage
- Description
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2N7002DW-TP
Micro Commercial Co
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
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DMC2700UDM-7
Diodes Incorporated
SOT-23-6
MOSFET N/P-CH 20V SOT26
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BSC0924NDIATMA1
Infineon Technologies
8-PowerTDFN
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
-
IRF7324TRPBF
Infineon Technologies
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC
Les pièces suivantes sont des pièces populaires recherchées dans : Transistors - FET, MOSFET - Réseaux.
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EPC2106
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EPC2110
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EPC2104
EPC
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BSM300D12P2E001
Rohm Semiconductor
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2N7002DW-TP
Micro Commercial Co
-
SSM6N37FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
- 1500+ Moyenne quotidienne des demandes de devis (RFQ)
- 20,000.000 Unité standard du produit
- 1800+ Fabricants du monde entier
- 15,000+ Stock disponible
