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Wolfspeed, Inc. C2M0045170P
- Numéro de pièce
- C2M0045170P
- Fabricant
- Wolfspeed, Inc.
- Catégorie :
- Transistors - FET, MOSFET - Simples
- Emballage
- TO-247-4L
- Fiche technique
-
C2M0045170P.pdf
- Description
- SICFET N-CH 1700V 72A TO247-4
- Contrôle qualité :
-
★★★★★ 5.0/5 Vérifié par l’équipe QC de FudongIC
Les informations produit de C2M0045170P ont été vérifiées selon la référence, le fabricant, le boîtier, le stock, les exigences d’approvisionnement et la disponibilité d’expédition.
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- Expédition
Pour quelles applications C2M0045170P est-il adapté ?
C2M0045170P est un produit de Wolfspeed, Inc. dans la catégorie Transistors - FET, MOSFET - Simples. Il convient aux projets électroniques nécessitant vérification des paramètres, approvisionnement stable, comparaison BOM et support d’achat.
Équipements de communication et réseau
Convient aux modules de communication, stations de base, équipements réseau et systèmes de transmission de données industriels.
Systèmes automobiles et de contrôle
Applicable à l’électronique automobile, modules de commande, capteurs et projets embarqués nécessitant une vérification des paramètres et du stock.
Automatisation industrielle
Adapté aux équipements industriels, contrôle moteur, instruments de mesure, systèmes d’automatisation et cartes électroniques.
Centres de données et plateformes cloud
Utilisable dans les serveurs, datacenters, alimentations, cartes de contrôle et systèmes électroniques fiables.
FudongIC aide les clients à acheter C2M0045170P, avec confirmation du stock, prix, comparaison BOM et sélection technique.
Demander un devis et un support technique pour C2M0045170PPrésentation du produit
C2M0045170P est un produit de Wolfspeed, Inc. dans la catégorie Transistors - FET, MOSFET - Simples. Description : SICFET N-CH 1700V 72A TO247-4. FudongIC aide les clients avec la vérification des fiches techniques, la confirmation du stock, les devis, la comparaison BOM et la sélection technique.
Caractéristiques principales
- Référence : C2M0045170P
- Fabricant : Wolfspeed, Inc.
- Catégorie : Transistors - FET, MOSFET - Simples
- Boîtier : TO-247-4L
- Support pour fiche technique, stock et devis
- Adapté aux échantillons, petites quantités et achats en volume
Domaines d’application
C2M0045170P peut être utilisé dans les communications, l’automatisation industrielle, l’électronique automobile, les datacenters, les systèmes embarqués, l’énergie, le contrôle et d’autres projets électroniques.
Achat et support technique
Si vous avez besoin du stock, des prix par volume, du délai, d’alternatives ou de documents techniques pour C2M0045170P, envoyez une demande à FudongIC. Notre équipe vous aidera selon votre application, paramètres, boîtier et quantité.
Produits associés
Product details
- Packaging:Tube
- Series:C2M™
- ProductStatus:Not For New Designs
- FETType:N-Channel
- Technology:SiCFET (Silicon Carbide)
- DraintoSourceVoltage(Vdss):1700 V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:72A (Tc)
- DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):20V
- RdsOn(Max)@IdVgs:59mOhm @ 50A, 20V
- Vgs(th)(Max)@Id:4V @ 18mA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:188 nC @ 20 V
- Vgs(Max):+25V, -10V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:3672 pF @ 1000 V
- FETFeature:-
- PowerDissipation(Max):520W (Tc)
- OperatingTemperature:-40°C ~ 150°C (TJ)
- MountingType:Through Hole
- Catégorie :
- Fiche technique
C2M0045170P - Questions fréquentes
C2M0045170P est affiché sur FudongIC avec les informations de stock actuelles. Le stock affiché est 2435. Les stocks évoluant fréquemment, envoyez une RFQ pour confirmer le stock, le prix et la livraison en temps réel.
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FudongIC se concentre sur la fourniture de composants électroniques originaux et authentiques. C2M0045170P de Wolfspeed, Inc. est approvisionné via des canaux fiables.
Le délai de livraison dépend du stock, de la quantité et de la destination. Pour le stock disponible, l’expédition peut être organisée via DHL, FedEx, UPS ou d’autres services express.
Selon les exigences de votre application, FudongIC peut vérifier des alternatives ou équivalents pour C2M0045170P. Envoyez vos spécifications, quantité cible et détails d’application.
| Image |  |
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| Numéro de pièce | C2M0080120D | C2M0045170D | C2M1000170J | C2M0045170P | C2M1000170J-TR |
| Fabricant | Wolfspeed, Inc. | Wolfspeed, Inc. | Wolfspeed, Inc. | Wolfspeed, Inc. | Wolfspeed, Inc. |
| Packaging | Tube | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Series | C2M™ | C2M™ | C2M™ | C2M™ | C2M™ |
| ProductStatus | Not For New Designs | Not For New Designs | Not For New Designs | Not For New Designs | Not For New Designs |
| FETType | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) | SiCFET (Silicon Carbide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 1700 V | 1700 V | 1700 V | 1700 V | 1700 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 72A (Tc) | 72A (Tc) | 72A (Tc) | 72A (Tc) | 72A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 20V | 20V | 20V | 20V | 20V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 59mOhm @ 50A, 20V | 59mOhm @ 50A, 20V | 59mOhm @ 50A, 20V | 59mOhm @ 50A, 20V | 59mOhm @ 50A, 20V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 4V @ 18mA | 4V @ 18mA | 4V @ 18mA | 4V @ 18mA | 4V @ 18mA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 188 nC @ 20 V | 188 nC @ 20 V | 188 nC @ 20 V | 188 nC @ 20 V | 188 nC @ 20 V |
| Vgs(Max) | +25V, -10V | +25V, -10V | +25V, -10V | +25V, -10V | +25V, -10V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 3672 pF @ 1000 V | 3672 pF @ 1000 V | 3672 pF @ 1000 V | 3672 pF @ 1000 V | 3672 pF @ 1000 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 520W (Tc) | 520W (Tc) | 520W (Tc) | 520W (Tc) | 520W (Tc) |
| OperatingTemperature | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
- Thyristoren – DIACs, SIDACs(317)
- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
- Thyristoren – TRIACs(3481)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays(2078)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt(1969)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren(23278)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren, vorgespannt(4111)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays(5629)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – HF(2777)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren(42446)
C2M0045170P Informations pertinentes
Inclut les pièces suivantes "C2M0045170P" ISSI, solutions de silicium intégrées de lentreprise C2M0045170P.
- Numéro de pièce
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- Emballage
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- 15,000+ Stock disponible
