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Fairchild Semiconductor FDG6302P
- Numéro de pièce
- FDG6302P
- Fabricant
- Fairchild Semiconductor
- Catégorie :
- Transistors - FET, MOSFET - Réseaux
- Emballage
- 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Fiche technique
-
FDG6302P.pdf
- Description
- SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
- Contrôle qualité :
-
★★★★★ 5.0/5 Vérifié par l’équipe QC de FudongIC
Les informations produit de FDG6302P ont été vérifiées selon la référence, le fabricant, le boîtier, le stock, les exigences d’approvisionnement et la disponibilité d’expédition.
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- Paiement
- Expédition
Pour quelles applications FDG6302P est-il adapté ?
FDG6302P est un produit de Fairchild Semiconductor dans la catégorie Transistors - FET, MOSFET - Réseaux. Il convient aux projets électroniques nécessitant vérification des paramètres, approvisionnement stable, comparaison BOM et support d’achat.
Équipements de communication et réseau
Convient aux modules de communication, stations de base, équipements réseau et systèmes de transmission de données industriels.
Systèmes automobiles et de contrôle
Applicable à l’électronique automobile, modules de commande, capteurs et projets embarqués nécessitant une vérification des paramètres et du stock.
Automatisation industrielle
Adapté aux équipements industriels, contrôle moteur, instruments de mesure, systèmes d’automatisation et cartes électroniques.
Centres de données et plateformes cloud
Utilisable dans les serveurs, datacenters, alimentations, cartes de contrôle et systèmes électroniques fiables.
FudongIC aide les clients à acheter FDG6302P, avec confirmation du stock, prix, comparaison BOM et sélection technique.
Demander un devis et un support technique pour FDG6302PPrésentation du produit
FDG6302P est un produit de Fairchild Semiconductor dans la catégorie Transistors - FET, MOSFET - Réseaux. Description : SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET. FudongIC aide les clients avec la vérification des fiches techniques, la confirmation du stock, les devis, la comparaison BOM et la sélection technique.
Caractéristiques principales
- Référence : FDG6302P
- Fabricant : Fairchild Semiconductor
- Catégorie : Transistors - FET, MOSFET - Réseaux
- Boîtier : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
- Support pour fiche technique, stock et devis
- Adapté aux échantillons, petites quantités et achats en volume
Domaines d’application
FDG6302P peut être utilisé dans les communications, l’automatisation industrielle, l’électronique automobile, les datacenters, les systèmes embarqués, l’énergie, le contrôle et d’autres projets électroniques.
Achat et support technique
Si vous avez besoin du stock, des prix par volume, du délai, d’alternatives ou de documents techniques pour FDG6302P, envoyez une demande à FudongIC. Notre équipe vous aidera selon votre application, paramètres, boîtier et quantité.
Produits associés
Product details
- Packaging:Bulk
- Series:-
- ProductStatus:Obsolete
- FETType:2 P-Channel (Dual)
- FETFeature:Logic Level Gate
- DraintoSourceVoltage(Vdss):25V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:140mA
- RdsOn(Max)@IdVgs:10Ohm @ 140mA, 4.5V
- Vgs(th)(Max)@Id:1.5V @ 250µA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:0.31nC @ 4.5V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:12pF @ 10V
- Power-Max:300mW
- OperatingTemperature:-55°C ~ 150°C (TJ)
- MountingType:Surface Mount
- Catégorie :
- Fiche technique
FDG6302P - Questions fréquentes
FDG6302P est affiché sur FudongIC avec les informations de stock actuelles. Le stock affiché est 3975. Les stocks évoluant fréquemment, envoyez une RFQ pour confirmer le stock, le prix et la livraison en temps réel.
La quantité minimale de commande pour FDG6302P est de 1 pièce(s). FudongIC prend en charge les échantillons, petites quantités et achats en volume.
FudongIC se concentre sur la fourniture de composants électroniques originaux et authentiques. FDG6302P de Fairchild Semiconductor est approvisionné via des canaux fiables.
Le délai de livraison dépend du stock, de la quantité et de la destination. Pour le stock disponible, l’expédition peut être organisée via DHL, FedEx, UPS ou d’autres services express.
Selon les exigences de votre application, FudongIC peut vérifier des alternatives ou équivalents pour FDG6302P. Envoyez vos spécifications, quantité cible et détails d’application.
| Image |  |
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| Numéro de pièce | SI9926DY | FDG6302P | NDH8302P | FDC6322C | SSD2007ATF |
| Fabricant | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| Packaging | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| Series | - | - | - | - | - |
| ProductStatus | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Obsolete |
| FETType | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) | 2 P-Channel (Dual) |
| FETFeature | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate | Logic Level Gate |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 25V | 25V | 25V | 25V | 25V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 140mA | 140mA | 140mA | 140mA | 140mA |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 10Ohm @ 140mA, 4.5V | 10Ohm @ 140mA, 4.5V | 10Ohm @ 140mA, 4.5V | 10Ohm @ 140mA, 4.5V | 10Ohm @ 140mA, 4.5V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA | 1.5V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 0.31nC @ 4.5V | 0.31nC @ 4.5V | 0.31nC @ 4.5V | 0.31nC @ 4.5V | 0.31nC @ 4.5V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 12pF @ 10V | 12pF @ 10V | 12pF @ 10V | 12pF @ 10V | 12pF @ 10V |
| Power-Max | 300mW | 300mW | 300mW | 300mW | 300mW |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
- Thyristoren – DIACs, SIDACs(317)
- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
- Thyristoren – TRIACs(3481)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays(2078)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt(1969)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
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- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren, vorgespannt(4111)
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- Transistoren – FETs, MOSFETs – HF(2777)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren(42446)
FDG6302P Informations pertinentes
Inclut les pièces suivantes "FDG6302P" ISSI, solutions de silicium intégrées de lentreprise FDG6302P.
- Numéro de pièce
- Fabricant
- Emballage
- Description
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2N7002DW-TP
Micro Commercial Co
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
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DMC2700UDM-7
Diodes Incorporated
SOT-23-6
MOSFET N/P-CH 20V SOT26
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BSC0924NDIATMA1
Infineon Technologies
8-PowerTDFN
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
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IRF7324TRPBF
Infineon Technologies
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC
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2N7002DW-TP
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SSM6N37FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
- 1500+ Moyenne quotidienne des demandes de devis (RFQ)
- 20,000.000 Unité standard du produit
- 1800+ Fabricants du monde entier
- 15,000+ Stock disponible
