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Fairchild Semiconductor FDMD8900
- Numéro de pièce
- FDMD8900
- Fabricant
- Fairchild Semiconductor
- Catégorie :
- Transistors - FET, MOSFET - Réseaux
- Emballage
- 12-PowerWDFN
- Fiche technique
-
FDMD8900.pdf
- Description
- POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
- Contrôle qualité :
-
★★★★★ 5.0/5 Vérifié par l’équipe QC de FudongIC
Les informations produit de FDMD8900 ont été vérifiées selon la référence, le fabricant, le boîtier, le stock, les exigences d’approvisionnement et la disponibilité d’expédition.
- Quantité
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- Paiement
- Expédition
Pour quelles applications FDMD8900 est-il adapté ?
FDMD8900 est un produit de Fairchild Semiconductor dans la catégorie Transistors - FET, MOSFET - Réseaux. Il convient aux projets électroniques nécessitant vérification des paramètres, approvisionnement stable, comparaison BOM et support d’achat.
Équipements de communication et réseau
Convient aux modules de communication, stations de base, équipements réseau et systèmes de transmission de données industriels.
Systèmes automobiles et de contrôle
Applicable à l’électronique automobile, modules de commande, capteurs et projets embarqués nécessitant une vérification des paramètres et du stock.
Automatisation industrielle
Adapté aux équipements industriels, contrôle moteur, instruments de mesure, systèmes d’automatisation et cartes électroniques.
Centres de données et plateformes cloud
Utilisable dans les serveurs, datacenters, alimentations, cartes de contrôle et systèmes électroniques fiables.
FudongIC aide les clients à acheter FDMD8900, avec confirmation du stock, prix, comparaison BOM et sélection technique.
Demander un devis et un support technique pour FDMD8900Présentation du produit
FDMD8900 est un produit de Fairchild Semiconductor dans la catégorie Transistors - FET, MOSFET - Réseaux. Description : POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N. FudongIC aide les clients avec la vérification des fiches techniques, la confirmation du stock, les devis, la comparaison BOM et la sélection technique.
Caractéristiques principales
- Référence : FDMD8900
- Fabricant : Fairchild Semiconductor
- Catégorie : Transistors - FET, MOSFET - Réseaux
- Boîtier : 12-PowerWDFN
- Support pour fiche technique, stock et devis
- Adapté aux échantillons, petites quantités et achats en volume
Domaines d’application
FDMD8900 peut être utilisé dans les communications, l’automatisation industrielle, l’électronique automobile, les datacenters, les systèmes embarqués, l’énergie, le contrôle et d’autres projets électroniques.
Achat et support technique
Si vous avez besoin du stock, des prix par volume, du délai, d’alternatives ou de documents techniques pour FDMD8900, envoyez une demande à FudongIC. Notre équipe vous aidera selon votre application, paramètres, boîtier et quantité.
Produits associés
Product details
- Packaging:Bulk
- Series:-
- ProductStatus:Active
- FETType:2 N-Channel (Dual)
- FETFeature:Standard
- DraintoSourceVoltage(Vdss):30V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:19A, 17A
- RdsOn(Max)@IdVgs:4mOhm @ 19A, 10V
- Vgs(th)(Max)@Id:2.5V @ 250µA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:35nC @ 10V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:2605pF @ 15V
- Power-Max:2.1W
- OperatingTemperature:-55°C ~ 150°C (TJ)
- MountingType:Surface Mount
- Catégorie :
- Fiche technique
FDMD8900 - Questions fréquentes
FDMD8900 est affiché sur FudongIC avec les informations de stock actuelles. Le stock affiché est 2091. Les stocks évoluant fréquemment, envoyez une RFQ pour confirmer le stock, le prix et la livraison en temps réel.
La quantité minimale de commande pour FDMD8900 est de 1 pièce(s). FudongIC prend en charge les échantillons, petites quantités et achats en volume.
FudongIC se concentre sur la fourniture de composants électroniques originaux et authentiques. FDMD8900 de Fairchild Semiconductor est approvisionné via des canaux fiables.
Le délai de livraison dépend du stock, de la quantité et de la destination. Pour le stock disponible, l’expédition peut être organisée via DHL, FedEx, UPS ou d’autres services express.
Selon les exigences de votre application, FudongIC peut vérifier des alternatives ou équivalents pour FDMD8900. Envoyez vos spécifications, quantité cible et détails d’application.
| Image |  |
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| Numéro de pièce | SI9926DY | FDG6302P | NDH8302P | FDC6322C | SSD2007ATF |
| Fabricant | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor |
| Packaging | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| Series | - | - | - | - | - |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) |
| FETFeature | Standard | Standard | Standard | Standard | Standard |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 30V | 30V | 30V | 30V | 30V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 19A, 17A | 19A, 17A | 19A, 17A | 19A, 17A | 19A, 17A |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 4mOhm @ 19A, 10V | 4mOhm @ 19A, 10V | 4mOhm @ 19A, 10V | 4mOhm @ 19A, 10V | 4mOhm @ 19A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 35nC @ 10V | 35nC @ 10V | 35nC @ 10V | 35nC @ 10V | 35nC @ 10V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 2605pF @ 15V | 2605pF @ 15V | 2605pF @ 15V | 2605pF @ 15V | 2605pF @ 15V |
| Power-Max | 2.1W | 2.1W | 2.1W | 2.1W | 2.1W |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
- Thyristoren – DIACs, SIDACs(317)
- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
- Thyristoren – TRIACs(3481)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays(2078)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt(1969)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren(23278)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren, vorgespannt(4111)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays(5629)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – HF(2777)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren(42446)
FDMD8900 Informations pertinentes
Inclut les pièces suivantes "FDMD8900" ISSI, solutions de silicium intégrées de lentreprise FDMD8900.
- Numéro de pièce
- Fabricant
- Emballage
- Description
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2N7002DW-TP
Micro Commercial Co
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
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DMC2700UDM-7
Diodes Incorporated
SOT-23-6
MOSFET N/P-CH 20V SOT26
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BSC0924NDIATMA1
Infineon Technologies
8-PowerTDFN
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
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IRF7324TRPBF
Infineon Technologies
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC
Les pièces suivantes sont des pièces populaires recherchées dans : Transistors - FET, MOSFET - Réseaux.
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EPC2106
EPC
-
EPC2110
EPC
-
EPC2104
EPC
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BSM300D12P2E001
Rohm Semiconductor
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2N7002DW-TP
Micro Commercial Co
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SSM6N37FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
- 1500+ Moyenne quotidienne des demandes de devis (RFQ)
- 20,000.000 Unité standard du produit
- 1800+ Fabricants du monde entier
- 15,000+ Stock disponible
