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International Rectifier IRF8113GPBF
- Numéro de pièce
- IRF8113GPBF
- Fabricant
- International Rectifier
- Catégorie :
- Transistors - FET, MOSFET - Simples
- Emballage
- 8-SO
- Fiche technique
-
IRF8113GPBF.pdf
- Description
- MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
- Contrôle qualité :
-
★★★★★ 5.0/5 Vérifié par l’équipe QC de FudongIC
Les informations produit de IRF8113GPBF ont été vérifiées selon la référence, le fabricant, le boîtier, le stock, les exigences d’approvisionnement et la disponibilité d’expédition.
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- Paiement
- Expédition
Pour quelles applications IRF8113GPBF est-il adapté ?
IRF8113GPBF est un produit de International Rectifier dans la catégorie Transistors - FET, MOSFET - Simples. Il convient aux projets électroniques nécessitant vérification des paramètres, approvisionnement stable, comparaison BOM et support d’achat.
Équipements de communication et réseau
Convient aux modules de communication, stations de base, équipements réseau et systèmes de transmission de données industriels.
Systèmes automobiles et de contrôle
Applicable à l’électronique automobile, modules de commande, capteurs et projets embarqués nécessitant une vérification des paramètres et du stock.
Automatisation industrielle
Adapté aux équipements industriels, contrôle moteur, instruments de mesure, systèmes d’automatisation et cartes électroniques.
Centres de données et plateformes cloud
Utilisable dans les serveurs, datacenters, alimentations, cartes de contrôle et systèmes électroniques fiables.
FudongIC aide les clients à acheter IRF8113GPBF, avec confirmation du stock, prix, comparaison BOM et sélection technique.
Demander un devis et un support technique pour IRF8113GPBFPrésentation du produit
IRF8113GPBF est un produit de International Rectifier dans la catégorie Transistors - FET, MOSFET - Simples. Description : MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO. FudongIC aide les clients avec la vérification des fiches techniques, la confirmation du stock, les devis, la comparaison BOM et la sélection technique.
Caractéristiques principales
- Référence : IRF8113GPBF
- Fabricant : International Rectifier
- Catégorie : Transistors - FET, MOSFET - Simples
- Boîtier : 8-SO
- Support pour fiche technique, stock et devis
- Adapté aux échantillons, petites quantités et achats en volume
Domaines d’application
IRF8113GPBF peut être utilisé dans les communications, l’automatisation industrielle, l’électronique automobile, les datacenters, les systèmes embarqués, l’énergie, le contrôle et d’autres projets électroniques.
Achat et support technique
Si vous avez besoin du stock, des prix par volume, du délai, d’alternatives ou de documents techniques pour IRF8113GPBF, envoyez une demande à FudongIC. Notre équipe vous aidera selon votre application, paramètres, boîtier et quantité.
Produits associés
Product details
- Packaging:Tube
- Series:HEXFET®
- ProductStatus:Obsolete
- FETType:N-Channel
- Technology:MOSFET (Metal Oxide)
- DraintoSourceVoltage(Vdss):30 V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:17.2A (Ta)
- DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):4.5V, 10V
- RdsOn(Max)@IdVgs:5.6mOhm @ 17.2A, 10V
- Vgs(th)(Max)@Id:2.2V @ 250µA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:36 nC @ 4.5 V
- Vgs(Max):±20V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:2910 pF @ 15 V
- FETFeature:-
- PowerDissipation(Max):2.5W (Ta)
- OperatingTemperature:-55°C ~ 150°C (TJ)
- MountingType:Surface Mount
- Catégorie :
- Fiche technique
IRF8113GPBF - Questions fréquentes
IRF8113GPBF est affiché sur FudongIC avec les informations de stock actuelles. Le stock affiché est 950. Les stocks évoluant fréquemment, envoyez une RFQ pour confirmer le stock, le prix et la livraison en temps réel.
La quantité minimale de commande pour IRF8113GPBF est de 1 pièce(s). FudongIC prend en charge les échantillons, petites quantités et achats en volume.
FudongIC se concentre sur la fourniture de composants électroniques originaux et authentiques. IRF8113GPBF de International Rectifier est approvisionné via des canaux fiables.
Le délai de livraison dépend du stock, de la quantité et de la destination. Pour le stock disponible, l’expédition peut être organisée via DHL, FedEx, UPS ou d’autres services express.
Selon les exigences de votre application, FudongIC peut vérifier des alternatives ou équivalents pour IRF8113GPBF. Envoyez vos spécifications, quantité cible et détails d’application.
| Image |  |
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| Numéro de pièce | IRLU8729-701PBF | IRFH8316TRPBF-IR | IRFH7936TRPBF | IRF8113GPBF | IRF3709ZPBF |
| Fabricant | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier |
| Packaging | Tube | Tube | Tube | Tube | Tube |
| Series | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® | HEXFET® |
| ProductStatus | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Obsolete | Obsolete |
| FETType | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V | 30 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 17.2A (Ta) | 17.2A (Ta) | 17.2A (Ta) | 17.2A (Ta) | 17.2A (Ta) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 5.6mOhm @ 17.2A, 10V | 5.6mOhm @ 17.2A, 10V | 5.6mOhm @ 17.2A, 10V | 5.6mOhm @ 17.2A, 10V | 5.6mOhm @ 17.2A, 10V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.2V @ 250µA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 36 nC @ 4.5 V | 36 nC @ 4.5 V | 36 nC @ 4.5 V | 36 nC @ 4.5 V | 36 nC @ 4.5 V |
| Vgs(Max) | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 2910 pF @ 15 V | 2910 pF @ 15 V | 2910 pF @ 15 V | 2910 pF @ 15 V | 2910 pF @ 15 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) | 2.5W (Ta) |
| OperatingTemperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
- Thyristoren – DIACs, SIDACs(317)
- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
- Thyristoren – TRIACs(3481)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays(2078)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt(1969)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren(23278)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren, vorgespannt(4111)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays(5629)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – HF(2777)
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IRF8113GPBF Informations pertinentes
Inclut les pièces suivantes "IRF8113GPBF" ISSI, solutions de silicium intégrées de lentreprise IRF8113GPBF.
- Numéro de pièce
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- 1500+ Moyenne quotidienne des demandes de devis (RFQ)
- 20,000.000 Unité standard du produit
- 1800+ Fabricants du monde entier
- 15,000+ Stock disponible
