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Vishay Siliconix SIZ998BDT-T1-GE3

Name: SIZ998BDT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIZ998BDT-T1-GE3
Availability: InStock
Rating: 5 (2 reviews)

FudongIC

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Numéro de pièce: SIZ998BDT-T1-GE3

Fabricant: Vishay Siliconix

Catégorie :: Transistors - FET, MOSFET - Réseaux

Emballage: 8-PowerWDFN

Fiche technique: SIZ998BDT-T1-GE3.pdf

Description: DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

Contrôle qualité :: ★★★★★ 5.0/5 Vérifié par l’équipe QC de FudongIC

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SIZ998BDT-T1-GE3 est un produit de Vishay Siliconix dans la catégorie Transistors - FET, MOSFET - Réseaux. Il convient aux projets électroniques nécessitant vérification des paramètres, approvisionnement stable, comparaison BOM et support d’achat.

Équipements de communication et réseau

Convient aux modules de communication, stations de base, équipements réseau et systèmes de transmission de données industriels.

Systèmes automobiles et de contrôle

Applicable à l’électronique automobile, modules de commande, capteurs et projets embarqués nécessitant une vérification des paramètres et du stock.

Automatisation industrielle

Adapté aux équipements industriels, contrôle moteur, instruments de mesure, systèmes d’automatisation et cartes électroniques.

Centres de données et plateformes cloud

Utilisable dans les serveurs, datacenters, alimentations, cartes de contrôle et systèmes électroniques fiables.

FudongIC aide les clients à acheter SIZ998BDT-T1-GE3, avec confirmation du stock, prix, comparaison BOM et sélection technique.

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Présentation du produit

SIZ998BDT-T1-GE3 est un produit de Vishay Siliconix dans la catégorie Transistors - FET, MOSFET - Réseaux. Description : DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET. FudongIC aide les clients avec la vérification des fiches techniques, la confirmation du stock, les devis, la comparaison BOM et la sélection technique.

Caractéristiques principales

Référence : SIZ998BDT-T1-GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
Catégorie : Transistors - FET, MOSFET - Réseaux
Boîtier : 8-PowerWDFN
Support pour fiche technique, stock et devis
Adapté aux échantillons, petites quantités et achats en volume

Domaines d’application

SIZ998BDT-T1-GE3 peut être utilisé dans les communications, l’automatisation industrielle, l’électronique automobile, les datacenters, les systèmes embarqués, l’énergie, le contrôle et d’autres projets électroniques.

Achat et support technique

Si vous avez besoin du stock, des prix par volume, du délai, d’alternatives ou de documents techniques pour SIZ998BDT-T1-GE3, envoyez une demande à FudongIC. Notre équipe vous aidera selon votre application, paramètres, boîtier et quantité.

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Product details

Packaging:
Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series:
TrenchFET® Gen IV
ProductStatus:
Active
FETType:
2 N-Channel (Dual), Schottky
FETFeature:
Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss):
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:
23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs:
4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id:
2.2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:
18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:
790pF @ 15V, 2130pF @ 15V
Power-Max:
3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc)
OperatingTemperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType:
Surface Mount
Catégorie :
Transistors - FET, MOSFET - Réseaux
Fiche technique
SIZ998BDT-T1-GE3.pdf

SIZ998BDT-T1-GE3 - Questions fréquentes

SIZ998BDT-T1-GE3 est-il actuellement en stock ?▼

SIZ998BDT-T1-GE3 est affiché sur FudongIC avec les informations de stock actuelles. Le stock affiché est 3974. Les stocks évoluant fréquemment, envoyez une RFQ pour confirmer le stock, le prix et la livraison en temps réel.

Quelle est la quantité minimale de commande pour SIZ998BDT-T1-GE3 ?▼

La quantité minimale de commande pour SIZ998BDT-T1-GE3 est de 1 pièce(s). FudongIC prend en charge les échantillons, petites quantités et achats en volume.

SIZ998BDT-T1-GE3 est-il original et authentique ?▼

FudongIC se concentre sur la fourniture de composants électroniques originaux et authentiques. SIZ998BDT-T1-GE3 de Vishay Siliconix est approvisionné via des canaux fiables.

Quel est le délai de livraison typique pour SIZ998BDT-T1-GE3 ?▼

Le délai de livraison dépend du stock, de la quantité et de la destination. Pour le stock disponible, l’expédition peut être organisée via DHL, FedEx, UPS ou d’autres services express.

Existe-t-il des alternatives ou équivalents pour SIZ998BDT-T1-GE3 ?▼

Selon les exigences de votre application, FudongIC peut vérifier des alternatives ou équivalents pour SIZ998BDT-T1-GE3. Envoyez vos spécifications, quantité cible et détails d’application.

Image
Numéro de pièce	SIZ260DT-T1-GE3	SIZ342ADT-T1-GE3	SIZ322DT-T1-GE3	SIZF906DT-T1-GE3	SIZ998BDT-T1-GE3
Fabricant	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix	Vishay Siliconix
Packaging	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)	Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Series	TrenchFET® Gen IV	TrenchFET® Gen IV	TrenchFET® Gen IV	TrenchFET® Gen IV	TrenchFET® Gen IV
ProductStatus	Active	Active	Active	Active	Active
FETType	2 N-Channel (Dual), Schottky	2 N-Channel (Dual), Schottky	2 N-Channel (Dual), Schottky	2 N-Channel (Dual), Schottky	2 N-Channel (Dual), Schottky
FETFeature	Standard	Standard	Standard	Standard	Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss)	30V	30V	30V	30V	30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C	23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc)	23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc)	23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc)	23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc)	23.7A (Ta), 54.8A (Tc), 36.2A (Ta), 94.6A (Tc)
RdsOn(Max)@IdVgs	4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V	4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V	4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V	4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V	4.39mOhm @ 15A, 10V, 2.4mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id	2.2V @ 250µA	2.2V @ 250µA	2.2V @ 250µA	2.2V @ 250µA	2.2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs	18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V	18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V	18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V	18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V	18nC @ 10V, 46.7nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds	790pF @ 15V, 2130pF @ 15V	790pF @ 15V, 2130pF @ 15V	790pF @ 15V, 2130pF @ 15V	790pF @ 15V, 2130pF @ 15V	790pF @ 15V, 2130pF @ 15V
Power-Max	3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc)	3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc)	3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc)	3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc)	3.8W (Ta), 20W (Tc), 4.8W (Ta), 32.9W (Tc)
OperatingTemperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount

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Numéro de pièce
Fabricant
Emballage
Description

2N7002DW-TP Micro Commercial Co
6-TSSOP, SC-88, SOT-363

MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
DMC2700UDM-7 Diodes Incorporated
SOT-23-6

MOSFET N/P-CH 20V SOT26
BSC0924NDIATMA1 Infineon Technologies
8-PowerTDFN

MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
IRF7324TRPBF Infineon Technologies
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOIC