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Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R712MD,L1Q
- Numéro de pièce
- TPN4R712MD,L1Q
- Fabricant
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Catégorie :
- Transistors - FET, MOSFET - Simples
- Emballage
- 8-TSON Advance (3.1x3.1)
- Fiche technique
-
TPN4R712MD,L1Q.pdf
- Description
- MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
- Contrôle qualité :
-
★★★★★ 5.0/5 Vérifié par l’équipe QC de FudongIC
Les informations produit de TPN4R712MD,L1Q ont été vérifiées selon la référence, le fabricant, le boîtier, le stock, les exigences d’approvisionnement et la disponibilité d’expédition.
- Quantité
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- Paiement
- Expédition
Pour quelles applications TPN4R712MD,L1Q est-il adapté ?
TPN4R712MD,L1Q est un produit de Toshiba Semiconductor and Storage dans la catégorie Transistors - FET, MOSFET - Simples. Il convient aux projets électroniques nécessitant vérification des paramètres, approvisionnement stable, comparaison BOM et support d’achat.
Équipements de communication et réseau
Convient aux modules de communication, stations de base, équipements réseau et systèmes de transmission de données industriels.
Systèmes automobiles et de contrôle
Applicable à l’électronique automobile, modules de commande, capteurs et projets embarqués nécessitant une vérification des paramètres et du stock.
Automatisation industrielle
Adapté aux équipements industriels, contrôle moteur, instruments de mesure, systèmes d’automatisation et cartes électroniques.
Centres de données et plateformes cloud
Utilisable dans les serveurs, datacenters, alimentations, cartes de contrôle et systèmes électroniques fiables.
FudongIC aide les clients à acheter TPN4R712MD,L1Q, avec confirmation du stock, prix, comparaison BOM et sélection technique.
Demander un devis et un support technique pour TPN4R712MD,L1QPrésentation du produit
TPN4R712MD,L1Q est un produit de Toshiba Semiconductor and Storage dans la catégorie Transistors - FET, MOSFET - Simples. Description : MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON. FudongIC aide les clients avec la vérification des fiches techniques, la confirmation du stock, les devis, la comparaison BOM et la sélection technique.
Caractéristiques principales
- Référence : TPN4R712MD,L1Q
- Fabricant : Toshiba Semiconductor and Storage
- Catégorie : Transistors - FET, MOSFET - Simples
- Boîtier : 8-TSON Advance (3.1x3.1)
- Support pour fiche technique, stock et devis
- Adapté aux échantillons, petites quantités et achats en volume
Domaines d’application
TPN4R712MD,L1Q peut être utilisé dans les communications, l’automatisation industrielle, l’électronique automobile, les datacenters, les systèmes embarqués, l’énergie, le contrôle et d’autres projets électroniques.
Achat et support technique
Si vous avez besoin du stock, des prix par volume, du délai, d’alternatives ou de documents techniques pour TPN4R712MD,L1Q, envoyez une demande à FudongIC. Notre équipe vous aidera selon votre application, paramètres, boîtier et quantité.
Produits associés
Product details
- Packaging:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
- Series:U-MOSVI
- ProductStatus:Active
- FETType:P-Channel
- Technology:MOSFET (Metal Oxide)
- DraintoSourceVoltage(Vdss):20 V
- Current-ContinuousDrain(Id)@25°C:36A (Tc)
- DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn):2.5V, 4.5V
- RdsOn(Max)@IdVgs:4.7mOhm @ 18A, 4.5V
- Vgs(th)(Max)@Id:1.2V @ 1mA
- GateCharge(Qg)(Max)@Vgs:65 nC @ 5 V
- Vgs(Max):±12V
- InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds:4300 pF @ 10 V
- FETFeature:-
- PowerDissipation(Max):42W (Tc)
- OperatingTemperature:150°C (TJ)
- MountingType:Surface Mount
- Catégorie :
- Fiche technique
TPN4R712MD,L1Q - Questions fréquentes
TPN4R712MD,L1Q est affiché sur FudongIC avec les informations de stock actuelles. Le stock affiché est 202. Les stocks évoluant fréquemment, envoyez une RFQ pour confirmer le stock, le prix et la livraison en temps réel.
La quantité minimale de commande pour TPN4R712MD,L1Q est de 1 pièce(s). FudongIC prend en charge les échantillons, petites quantités et achats en volume.
FudongIC se concentre sur la fourniture de composants électroniques originaux et authentiques. TPN4R712MD,L1Q de Toshiba Semiconductor and Storage est approvisionné via des canaux fiables.
Le délai de livraison dépend du stock, de la quantité et de la destination. Pour le stock disponible, l’expédition peut être organisée via DHL, FedEx, UPS ou d’autres services express.
Selon les exigences de votre application, FudongIC peut vérifier des alternatives ou équivalents pour TPN4R712MD,L1Q. Envoyez vos spécifications, quantité cible et détails d’application.
| Image |  |
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.jpg) |
| Numéro de pièce | TPN4R712MD,L1Q | SSM3J356R,LF | SSM3J372R,LF | SSM3J351R,LF | SSM6J507NU,LF |
| Fabricant | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Packaging | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Series | U-MOSVI | U-MOSVI | U-MOSVI | U-MOSVI | U-MOSVI |
| ProductStatus | Active | Active | Active | Active | Active |
| FETType | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| DraintoSourceVoltage(Vdss) | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
| Current-ContinuousDrain(Id)@25°C | 36A (Tc) | 36A (Tc) | 36A (Tc) | 36A (Tc) | 36A (Tc) |
| DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V | 2.5V, 4.5V |
| RdsOn(Max)@IdVgs | 4.7mOhm @ 18A, 4.5V | 4.7mOhm @ 18A, 4.5V | 4.7mOhm @ 18A, 4.5V | 4.7mOhm @ 18A, 4.5V | 4.7mOhm @ 18A, 4.5V |
| Vgs(th)(Max)@Id | 1.2V @ 1mA | 1.2V @ 1mA | 1.2V @ 1mA | 1.2V @ 1mA | 1.2V @ 1mA |
| GateCharge(Qg)(Max)@Vgs | 65 nC @ 5 V | 65 nC @ 5 V | 65 nC @ 5 V | 65 nC @ 5 V | 65 nC @ 5 V |
| Vgs(Max) | ±12V | ±12V | ±12V | ±12V | ±12V |
| InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds | 4300 pF @ 10 V | 4300 pF @ 10 V | 4300 pF @ 10 V | 4300 pF @ 10 V | 4300 pF @ 10 V |
| FETFeature | - | - | - | - | - |
| PowerDissipation(Max) | 42W (Tc) | 42W (Tc) | 42W (Tc) | 42W (Tc) | 42W (Tc) |
| OperatingTemperature | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) | 150°C (TJ) |
| MountingType | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
- Dioden – Brückengleichrichter(8096)
- Dioden – Gleichrichter – Arrays(14902)
- Dioden – Gleichrichter – Einzeldioden(50121)
- Dioden – HF(2475)
- Dioden – Variable Kapazität (Varicaps, Varaktoren)(1171)
- Dioden – Zener – Arrays(1826)
- Dioden – Zener – Einzeldioden(65535)
- Leistungstreibermodule(1273)
- Thyristoren – DIACs, SIDACs(317)
- Thyristoren – Thyristoren(4646)
- Thyristoren – Thyristoren – Module(3097)
- Thyristoren – TRIACs(3481)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays(2078)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt(1969)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – HF(1914)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren(23278)
- Transistoren – Bipolar (BJT) – Einzeltransistoren, vorgespannt(4111)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays(5629)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – HF(2777)
- Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeltransistoren(42446)
TPN4R712MD,L1Q Informations pertinentes
Inclut les pièces suivantes "TPN4R712MD,L1Q" ISSI, solutions de silicium intégrées de lentreprise TPN4R712MD,L1Q.
- Numéro de pièce
- Fabricant
- Emballage
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